[发明专利]提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法

权利要求书

1.一种提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在其表面形成外延层；

制作不同深度与宽度P阱，形成倒三角P阱；

制作源端和体接触端；

进行低温湿氧氧化SiO2生长；

进行多晶硅的光刻和腐蚀，形成多晶栅控制端。

2.如权利要求1所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，所述衬底为高能度低电阻率的衬底，其材料为硅或砷，电阻率为0.002-0.004Ω·cm。

3.如权利要求1所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，所述外延层的电阻率为0.3-24Ω·cm，厚度为3um-50um。

4.如权利要求1所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，制作不同深度与宽度P阱具体为：第一次采用小条宽高能注，第二次采用中条宽中能注，第三次采用大条宽低能注入，包括：

按照第一次P阱光罩的图形形成第一次P阱的图形；

注入P型杂质并进行高温退火处理形成第一P阱；其中，所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为1E12-1E13cm^-2，能量为1000-5000Kev；

按照第二次P阱光罩的图形形成第二次P阱的图形；

注入P型杂质并进行高温退火处理形成第二P阱；其中，所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为5E12-1E13cm^-2，能量为100-500Kev；

按照第三次P阱光罩的图形形成第三次P阱的图形；

注入P型杂质并进行高温退火处理形成第三P阱；其中，所述P型杂质包括B和BF2，注入剂量为5E13-1E14cm^-2，能量为50-80Kev；

所述第一P阱、所述第二P阱和所述第三P阱形成倒三角图形，其中所述第一P阱在该倒三角图形的底部，所述第三P阱在顶部。

5.如权利要求1所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，制作源端和体接触端包括：

按照N+光罩和P+光罩的图形分别形成源端和体接触端的图形；

按照P+光罩的图形注入P型杂质并进行高温退火处理，形成P+体接触端；P型杂质包括B和BF2，注入剂量为5E14-5E15cm^-2，能量为50-100Kev；

按照N+光罩的图形注入N型杂质并进行高温退火处理，形成N+源端；N型杂质包括P、As和In，注入剂量为5E14-1E16cm^-2，能量为50-80Kev。

6.如权利要求1所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，SiO2生长的温度为800℃-1050℃，生长厚度为30nm-1000nm。

7.如权利要求1所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，形成多晶栅控制端之后，所述提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法还包括：

进行介质隔离层淀积，完成接触孔和金属淀积光刻，把源端、体接触端和栅端全部接出，形成VDMOS功率器件的完整结构。

8.如权利要求1-7任一项所述的提高抗辐射MOSFET单粒子加固结构的制备方法，其特征在于，制作P阱的次数不少于2次，且每次注入P型杂质的剂量越来越大，能量越来越小。