[发明专利]代码生成方法、装置、设备和存储介质在审
| 申请号: | 202111589760.7 | 申请日: | 2021-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN116048868A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
| 发明(设计)人: | 王少峰;宋明辉;曾峰 | 申请(专利权)人: | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F11/10 | 分类号: | G06F11/10;G06F16/2455;G06F16/25 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 杨奇松 |
| 地址: | 300450 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码: | 天津;12 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 代码 生成 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
1.一种代码生成方法,其特征在于,包括:
获取待处理的目标算法对应的配置参数,所述配参数中包括所述目标算法的生成多项式和输入数据位宽;
根据所述配置参数生成与所述输入数据位宽匹配的编码数据;
根据所述生成多项式对所述编码数据进行逐位计算,确定所述编码数据的每一比特位对应的电路结构表达式。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取待处理的目标算法对应的配置参数,包括:
在接收到待处理的所述目标算法时,判断数据库中是否存在所述目标算法;
当所述数据库中存在所述目标算法时,获取用户录入的所述目标算法的第一参数,并提取所述数据库中预存的所述目标算法对应的预设参数,将所述第一参数和所述预设参数作为所述配置参数。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一参数包括:所述目标算法的输入数据位宽、目标算法标识和校验数据中的一个或多个。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述预设参数包括:所述目标算法的生成多项式、初始值、输入反转标志位、输出反转标志位和输出异或值中的一个或多个。
5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述获取待处理的目标算法对应的配置参数,还包括:
当所述数据库中不存在所述目标算法时,获取用户录入的所述目标算法的自定义参数,将所述自定义参数作为所述目标算法的配置参数。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述自定义参数包括:
所述目标算法的输入数据位宽、校验数据、所述目标算法的生成多项式、初始值、输入反转标志位、输出反转标志位和输出异或值中的一个或多个。
7.根据权利要求4或6所述的方法,其特征在于,所述根据所述配置参数生成与所述输入数据位宽匹配的编码数据,包括:
根据所述输入数据位宽,生成所述目标算法对应的输入数据;
根据所述输入反转标志位,处理所述输入数据;
在处理后的输入数据末尾添加预设编码值;
将添加编码值后的输入数据与所述初始值做异或运算,得到所述编码数据。
8.根据权利要求4或6所述的方法,其特征在于,所述根据所述生成多项式对所述编码数据进行逐位计算,确定所述编码数据的每一比特位对应的电路结构表达式,包括:
将所述编码数据中的数据向左移出指定位,得到移出数据组;
若所述移出数据组中的最高位为0,则将所述移出数据组整体左移一位,并从剩余的编码数据中左移一位到所述移出数据组中;
若所述移出数据组中的最高位不为0,将所述移出数据组中的数据与所述目标算法的生成多项式按位进行异或运算,异或运算的结果左移一位存入所述移出数据组,并从剩余的编码数据中左移一位到所述移出数据组中;
根据移位后得到的移出数据组,确定所述目标算法本轮对应的所述电路结构表达式,采用上述方式将所述编码数据中的每一比特位的数据都参与计算,得到所述目标算法对应的多个电路结构表达式。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述根据移位后得到的移出数据组,确定所述目标算法本轮对应的所述电路结构表达式,包括:
采用卡诺图对所述移位后得到的移出数据组进行化简,得到所述目标算法对应的所述电路结构表达式。
10.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,还包括:
根据所述配置参数对所述电路结构表达式进行输出处理,输出所述目标算法对应的最终电路结构表达式。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置参数还包括所述目标算法的校验数据;所述方法还包括:
将所述校验数据带入所述多个电路结构表达式,得到所述多个电路结构表达式输出的校验值,将所述校验值与预设标准值进行比较,以验证所述多个电路结构表达式的准确性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海光信息技术股份有限公司,未经海光信息技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111589760.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体器件及其制造方法
- 下一篇:硝酸法湿法磷酸综合利用的方法





