[发明专利]放射线成像装置和放射线成像系统在审
申请号: | 202111586572.9 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114664874A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 川锅润;大藤将人;藤吉健太郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 汪晶晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 成像 装置 系统 | ||
本公开涉及放射线成像装置和放射线成像系统。对于从第一方向连接到信号线的像素A和从第二方向连接到信号线的像素B而言,通过均衡像素A和像素B的数量,其中像素A和像素B各自连接到对应的偏置线,减小了偏置线之间的布线电容的差异。
技术领域
本公开涉及放射线成像装置和放射线成像系统。
背景技术
作为二维检测器的放射线成像装置(平板检测器)已经激增,其中驱动电路和读出电路连接到具有像素的二维矩阵的传感器基板,像素具有光电转换元件和开关元件。
读出电路中使用的集成电路(IC)芯片由于多个模拟放大器、模数(A/D)转换器等的高密度集成而价格昂贵,并且占成像装置的构件成本的很大比例。
美国专利申请公开No.2012/0181439讨论了一种用于在不减少传感器基板中的有效像素的数量的情况下通过在两个相邻像素之间共享信号线将读出电路的尺寸(即,所需IC芯片的数量)减半的技术。
发明内容
本公开的各种实施例提供了用于在防止或减少构件成本的增加的同时减少放射线图像的伪影的改进技术和机构。
在各种实施例中,提供了一种放射线成像装置,其包括多个像素,每个像素具有薄膜晶体管和转换元件并且布置在二维矩阵中,以及连接到布置在列方向上的多个薄膜晶体管的多条信号线。多个像素包括布置在第一列中的第一像素、布置在第二列中在行方向上与第一像素相邻的第二像素、布置在第三列中在行方向上与第二像素在与第一像素相邻的相对侧相邻的第三像素,以及布置第四列中在行方向上与第三像素在与第二像素相邻的相对侧相邻的第四像素。多条信号线包括至少第一信号线和在行方向上与第一信号线相邻布置的第二信号线。第一像素的薄膜晶体管从行方向中的第一方向连接到第一信号线,并且第二像素的薄膜晶体管从与第一方向相对的第二方向连接到第一信号线。第三像素的薄膜晶体管从第一方向连接到第二信号线,并且第四像素的薄膜晶体管从第二方向连接到第二信号线。放射线成像装置还包括用于从第一偏置源向布置在列方向上的多个转换元件供应偏置电压的第一偏置线,用于从不同于第一偏置源的第二偏置源向布置在列方向上的多个转换元件供应偏置电压的第二偏置线。第一偏置线连接到第一像素的转换元件和第二像素的转换元件并且第二偏置线连接到第三像素的转换元件和第四像素的转换元件,或者,第一偏置线连接到第一像素的转换元件和第四像素的转换元件并且第二偏置线连接到第三像素的转换元件和第二像素的转换元件。
根据参考附图对示例实施例的以下描述,本公开的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是根据第一示例实施例的放射线成像系统的框图。
图2是根据第一示例实施例的放射线成像装置中的等效电路。
图3是例示根据第一示例实施例的放射线成像装置的操作的流程图。
图4是例示根据第一示例实施例的放射线成像装置的操作的时序图。
图5是例示根据第一示例实施例的电流-电压转换电路的配置示例的图。
图6A和图6B分别是根据第一示例实施例的像素的平面视图和横截面视图。
图7是根据第二示例实施例的放射线成像装置中的等效电路。
图8是在执行根据第二示例实施例的相关双采样驱动的情况下的时序图。
具体实施方式
下面将描述本公开的第一示例实施例。图1是根据本示例实施例的放射线成像系统500的框图。根据本示例实施例的放射线成像系统500包括放射线成像装置10、放射线生成装置11、放射线控制装置12和控制计算机13。
放射线生成装置11和放射线控制装置12将用于成像的放射线施加到放射线成像装置10。控制计算机13从放射线成像装置10获取图像并控制整个放射线成像系统500。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的