[发明专利]放射线成像装置和放射线成像系统在审
申请号: | 202111586572.9 | 申请日: | 2021-12-23 |
公开(公告)号: | CN114664874A | 公开(公告)日: | 2022-06-24 |
发明(设计)人: | 川锅润;大藤将人;藤吉健太郎 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01T1/20 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 汪晶晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 放射线 成像 装置 系统 | ||
1.一种放射线成像装置,包括:
多个像素,每个像素具有薄膜晶体管和转换元件并且布置在二维矩阵中;以及
多条信号线,连接到布置在列方向上的多个薄膜晶体管,
其中所述多个像素包括布置在第一列中的第一像素、布置在第二列中在行方向上与第一像素相邻的第二像素、布置在第三列中在行方向上与第二像素在与第一像素相邻的相对侧相邻的第三像素、以及布置第四列中在行方向上与第三像素在与第二像素相邻的相对侧相邻的第四像素,
其中所述多条信号线包括至少第一信号线和在行方向上与第一信号线相邻布置的第二信号线,
其中第一像素的薄膜晶体管从行方向中的第一方向连接到第一信号线,并且第二像素的薄膜晶体管从与第一方向相对的第二方向连接到第一信号线,
其中第三像素的薄膜晶体管从第一方向连接到第二信号线,并且第四像素的薄膜晶体管从第二方向连接到第二信号线,
其中放射线成像装置还包括:
第一偏置线,用于从第一偏置源向布置在列方向上的多个转换元件供应偏置电压;
第二偏置线,用于从不同于第一偏置源的第二偏置源向布置在列方向上的所述多个转换元件供应偏置电压,
其中第一偏置线连接到第一像素的转换元件和第二像素的转换元件,并且第二偏置线连接到第三像素的转换元件和第四像素的转换元件,或者
其中第一偏置线连接到第一像素的转换元件和第四像素的转换元件,并且第二偏置线连接到第三像素的转换元件和第二像素的转换元件。
2.根据权利要求1所述的放射线成像装置,其中从第一方向连接到第一偏置线的转换元件的数量与从第一方向连接到第二偏置线的转换元件的数量相同,并且从第二方向连接到第一偏置线的转换元件的数量与从第二方向连接到第二偏置线的转换元件的数量相同。
3.根据权利要求1所述的放射线成像装置,
其中第一偏置线连接到第一像素的转换元件和第二像素的转换元件,并且第二偏置线连接到第三像素的转换元件和第四像素的转换元件。
4.根据权利要求1所述的放射线成像装置,
其中第一偏置线连接到第一像素的转换元件和第四像素的转换元件,并且第二偏置线连接到第三像素的转换元件和第二像素的转换元件。
5.根据权利要求1所述的放射线成像装置,
其中薄膜晶体管部署在绝缘基板上并且具有控制电极、部署在控制电极上的绝缘层以及部署在绝缘层上的第一主电极和第二主电极。
6.根据权利要求5所述的放射线成像装置,其中转换元件部署在薄膜晶体管上。
7.根据权利要求1所述的放射线成像装置,还包括模拟信号获取单元,该模拟信号获取单元被配置为获取流经第一偏置源的第一偏置电流和流经第二偏置源的第二偏置电流,
其中模拟信号获取单元基于第一偏置电流和第二偏置电流中的至少一个来检测放射线已施加到所述多个像素。
8.根据权利要求7所述的放射线成像装置,还包括多条驱动线,用于执行从布置在行方向上的所述多个像素读出电荷的驱动,
其中第一偏置线连接到所述多个像素当中要经历使用所述多条驱动线当中的第一驱动线的驱动的像素,
其中第二偏置线连接到所述多个像素当中要经历使用所述多条驱动线当中与第一驱动线不同的第二驱动线的驱动的像素,以及
其中模拟信号获取单元基于第一偏置电流和第二偏置电流中的至少一个来执行检测。
9.根据权利要求8所述的放射线成像装置,其中模拟信号获取单元基于第一偏置电流和第二偏置电流执行相关双采样。
10.根据权利要求1所述的放射线成像装置,还包括在所述多个像素上的闪烁体,该闪烁体被配置为将放射线转换成光。
11.一种放射线成像系统,包括:
根据权利要求1所述的放射线成像装置;以及
放射线生成装置,被配置为向放射线成像装置施加放射线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的