[发明专利]一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法

权利要求书

1.一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，用于测量被测屏蔽线缆的电磁屏蔽衰减，其特征在于：长度L的所述被测屏蔽线缆放置于非金属测试架上，将电流校准装置串联于被测屏蔽线缆和信号源电缆之间，所述信号源电缆另外一端与信号源连接，所述被测屏蔽线缆另外一端连接负载；

所述测量方法包括参考测量和衰减测量；

所述参考测量是在所述电流校准装置上设置电流探头为获取被测屏蔽线缆内部的信号电平值所进行的测量，此处所取得的测量值为参考测量值；

所述衰减测量是在所述被测屏蔽电缆上为获取泄漏信号电平值所进行的测量，其包括屏蔽衰减近端测量和屏蔽衰减远端测量；

所述屏蔽衰减近端测量是在靠近电流校准装置的位置设置电流探头进行的测量，此处所取得的测量值为近端测量值；

所述屏蔽衰减远端测量是在与所述屏蔽衰减近端测量间隔距离M的位置设置电流探头进行的测量，此处所取得的测量值为远端测量值；

近端测量值和远端测量值中的最大值为衰减测量值；

所述屏蔽衰减的测量值等于所述参考测量值与所述衰减测量值之比取对数，或者等于参考测量的对数单位测量值与衰减测量的对数单位测量值之差。

2.如权利要求1所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：所述电流校准装置和被测屏蔽电缆之间具有用于隔离信号干扰的金属反射板，所述电流校准装置和被测屏蔽电缆通过安装在所述金属反射板上的连接器连接。

3.如权利要求2所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：所述屏蔽衰减近端测量包括如下步骤，首先在所述电流校准装置上设置参考电流探头，在所述被测屏蔽电缆靠近所述金属反射板的位置设置近端电流探头，二者均与测量接收设备连接；通过信号源向所述信号源电缆施加测量信号电平；用设置于所述电流校准装置上的参考电流探头和测量接收设备读取并记录参考测量信号电流值或电平值I 0；用置于被测屏蔽线缆近端的近端电流探头和测量接收设备读取并记录近端衰减测量的信号电流值或电平值I 1n。

4.如权利要求3所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：所述屏蔽衰减远端测量包括如下步骤，首先在所述电流校准装置上设置参考电流探头，在与所述屏蔽衰减近端测量间隔距离M的位置设置远端电流探头，二者均与测量接收设备连接；通过信号源向被测屏蔽线缆施加测量信号电平，并使参考电流探头和测量接收设备监测到的参考测量信号电流值或电平值I 0与屏蔽衰减近端测量时相同；用设置于被测屏蔽线缆远端的远端电流探头和测量接收设备读取并记录远端衰减测量的信号电流值或电平值I 1f。

5.如权利要求4所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：当测量值为线性单位时，屏蔽衰减的计算公式如下：

SA＝20lg(I 0/max[I 1n,I 1f])

式中：

SA——屏蔽衰减，单位为分贝(dB)；

I 0——参考测量电流值，单位为微安(μA)；

max[I 1n,I 1f]——I 1n和I 1f中较大的衰减测量电流值，单位为微安(μA)。

6.如权利要求1所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：当测量值为对数单位时，屏蔽衰减的计算公式如下：

SA＝I 0(dB)－max[I 1n(dB),I 1f(dB)]

式中：

SA——屏蔽衰减，单位为分贝(dB)；

I 0(dB)——参考测量电流值，单位为分贝微安(dBμA)；

max[I 1n(dB),I 1f(dB)]——I 1n(dB)和I 1f(dB)中较大的衰减测量电流值，单位为分贝微安(dBμA)。

7.如权利要求1所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：所述屏蔽衰减近端测量和屏蔽衰减远端测量均使用铁氧体吸收器来吸收所述被测屏蔽电缆的信号泄漏并使测量值稳定。

8.如权利要求1所述的一种屏蔽线缆电磁屏蔽衰减测量方法，其特征在于：所述距离M为6米，所述长度L为7.5米。