[发明专利]基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法、装置和设备

权利要求书

1.一种基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法，其特征在于，包括：

获取样品芯片的第一晶圆图像以及待验芯片的第二晶圆图像；

根据所述第一晶圆图像得到第一变异曲线，根据所述第二晶圆图像得到所述第二变异曲线；

基于所述第一变异曲线和所述第二变异曲线，确定所述待验芯片的真伪。

2.根据权利要求1所述的基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法，其特征在于，所述根据所述第一晶圆图像得到第一变异曲线，根据所述第二晶圆图像得到所述第二变异曲线，具体包括：

将所述第一晶圆图像进行滤波平滑缩放处理得到第一晶圆图像矩阵；

将所述第二晶圆图像进行滤波平滑缩放处理得到第二晶圆图像矩阵，其中，所述第一晶圆图像矩阵和所述第二晶圆图像矩阵的矩阵大小相同；

逐行逐列计算所述第一晶圆图像矩阵的行列的变异系数，得到所述第一变异曲线；

逐行逐列计算所述第二晶圆图像矩阵的行列的变异系数，得到所述第二变异曲线，其中所述第一变异曲线和所述第二变异曲线长度相同，且所述第一变异曲线和所述第二变异曲线上的对应点的顺序也相同。

3.根据权利要求2所述的基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法，其特征在于，所述逐行逐列计算所述第一晶圆图像矩阵的行列的变异系数，得到所述第一变异曲线，具体包括：

将所述第一晶圆图像矩阵中每行或每列的像素值x_i输入至公式得到所述第一晶圆图像矩阵每行或每列的第一标准差σ₁，根据所述第一标准差σ₁和第一平均值μ₁，得到所述每行或每列对应的第一变异系数，并基于得到的所有所述第一变异系数，得到所述第一变异曲线，其中N为所述第一晶圆图像矩阵中每行或每列的元素数量，根据所述第一晶圆图像矩阵中每行或每列的像素值，得到所述第一平均值μ₁；

所述逐行逐列计算所述第二晶圆图像矩阵的行列的变异系数，得到所述第二变异曲线，具体包括：

将所述第二晶圆图像矩阵中每行或每列的像素值x_j输入至公式得到所述第二晶圆图像矩阵每行或每列的第二标准差σ₂，根据所述第二标准差σ₂和第二平均值μ₂，得到所述每行或每列对应的第二变异系数，并基于得到的所有所述第二变异系数，得到所述第二变异曲线，其中，其中N为所述第二晶圆图像矩阵中每行或每列的元素数量，根据所述第二晶圆图像矩阵中每行或每列的像素值，得到所述第二平均值μ₂。

4.根据权利要求2所述的基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法，其特征在于，所述基于所述第一变异曲线和所述第二变异曲线，确定所述待验芯片的真伪，具体包括：

按照拉依达准则对应剔除所述第一变异曲线和所述第二变异曲线之间距离较大的部分；

计算所述第一变异曲线的剩余部分和所述第二变异曲线的剩余部分的皮尔逊相关系数，得到所述第一变异曲线和所述第二变异曲线的相似度；

当所述相似度值大于预设阈值时，所述待验芯片为真，否则，所述待验芯片为假。

5.根据权利要求4所述的基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法，其特征在于，所述按照拉依达准则对应剔除所述第一变异曲线和所述第二变异曲线之间距离较大的部分，具体包括：

根据所述第一变异曲线和所述第二变异曲线对应点间距离d_i、距离标准差以及距离平均值，得到所述第一变异曲线和所述第二变异曲线中对应点间距离大于预设距离的部分，其中，距离标准差是所述第一变异曲线和所述第二变异曲线中所有对应点间距离的标准差，所述距离平均值是所述第一变异曲线和所述第二变异曲线中所有对应点间距离的平均值。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的基于晶圆图像识别集成电路芯片真伪的方法，其特征在于，所述方法还包括：

利用金相显微镜分别拍摄所述样品芯片和所述待验芯片，得到所述第一第一晶圆图像和所述第二晶圆图像。