[发明专利]一种制备超密集热点空间结构的方法

权利要求书

1.一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：

1)清洗并亲水处理硅片；

2)利用磁控溅射在样品上制作银，二氧化硅共溅射膜；

将银靶和二氧化硅靶各自倾斜40度，同时向硅片溅射；

3)将共溅射中二氧化硅部分腐蚀掉，形成银纳米颗粒膜；

4)制备质量比为0.5-2％PVA胶；

5)制备银纳米颗粒溶胶；

使用浓度为1mmon/L的硝酸银100ml与质量比为1％柠檬酸钠3ml进行化学反应，硝酸银与柠檬酸钠的体积比为100:3；当溶液从透明变为浅绿色，煮沸30min，反应完成，制备成银纳米颗粒溶胶；

6)将制备好的银纳米颗粒溶胶离心，加入质量比为0.5-2％PVA胶，加热搅拌，至银纳米颗粒完全分散到胶体中；

7)利用旋涂机将掺杂银纳米颗粒后的PVA胶旋涂至样品上；

取40μl掺杂后的PVA胶，使用布胶速度为2510RPM,旋涂18秒，之后使用匀胶速度为8520RPM，旋涂60秒；

8)利用磁控溅射在旋涂后的样品上制作银、二氧化硅共溅射膜；

9)将步骤8)产物中共溅射中二氧化硅部分腐蚀掉，形成银纳米颗粒膜。

2.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：所述的处理具有亲水性硅片，具体为：

1a)清洗硅片:

用去离子水和无水乙醇分别浸泡干净硅片，再用超声仪超声15min，洗去硅片表面灰层脏污和油渍；将硅片取出来，放置在吸水纸上将残余水分吸干；

1b)亲水处理：

将硅片并放入烧杯中，在烧杯中分别加入体积比为1:2:6的氨水、过氧化氢和去离子水的混合溶液中；将烧杯放在烤焦台上加热至沸腾，并保持煮沸15min，冷却后将液体倒出，依次用去离子水，无水乙醇反复超声15min。

3.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：溅射银的功率为10W,二氧化硅功率为40W时；开始前背景气压为4.5×10-4Pa，通入25sccm的Ar，溅射时背景气压为1.5Pa，溅射时间为1min；在这个条件下，银和二氧化硅含量比为4：1。

4.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：将共溅射中二氧化硅部分腐蚀掉，具体为：用质量比20％氢氟酸做表面化学处理，腐蚀10s。

5.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：制备质量比为0.5-2％PVA胶，具体为：称量质量比为0.5-2％PVA粉末，加入去离子水，放入磁力搅拌子，放在搅拌加热台上，90℃高温加热搅拌，至溶液中颗粒全部溶解在水中。

6.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：将制备好的银纳米颗粒溶胶离心，加入质量比为0.5-2％PVA胶，加热搅拌，至银纳米颗粒完全分散到胶体中；具体为：

将制备好的银纳米颗粒进行13000转/min离心，使之银纳米颗粒聚团沉积在离心管底部，和上清液分离，使用移液枪将上清液吸走，将0.5-2％PVA胶加入到银纳米颗粒中；用加热搅拌的技术，加热到100℃，搅拌至银纳米颗粒完全分散到胶体中。

7.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：利用旋涂机将掺杂银纳米颗粒后的PVA胶旋涂至样品上；具体为：

取40μl掺杂后的PVA胶，使用布胶速度为2510RPM,旋涂18秒，之后使用匀胶速度为8520RPM，旋涂60秒。

8.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：利用磁控溅射在旋涂后的样品上制作银、二氧化硅共溅射膜；具体为：将银靶和二氧化硅靶各自倾斜40度，同时向硅片溅射；溅射银的功率为10W,二氧化硅功率为40W；开始前背景气压为4.5×10^-4Pa，通入25sccm的Ar，溅射时背景气压为1.5Pa，溅射时间为1min；在这个条件下，银和二氧化硅含量比为4：1。

9.根据权利要求1所述的一种制备超密集热点空间结构的方法，其特征在于：将步骤8)产物中共溅射中二氧化硅部分腐蚀掉，形成银纳米颗粒膜；具体为：用质量比20％氢氟酸做表面化学处理，腐蚀30s。