[发明专利]一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法在审
申请号: | 202111579917.8 | 申请日: | 2021-12-22 |
公开(公告)号: | CN114284823A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 罗浩;杨小华;蔡建财;利华德 | 申请(专利权)人: | 福建晶烯新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01R43/00 | 分类号: | H01R43/00;H01R43/16;H05B3/03 |
代理公司: | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人: | 张彦 |
地址: | 364000 福建省龙岩市新*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 纳米 电热 耐高温 接线 方法 | ||
本发明涉及一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法。本发明中的银线接线技术采用的是耐高温嵌入式的方式将银线固定在基体内部,选用高纯度的银线通过高温烧结方式与电极的基体固化到一起,因为高纯度的银线自身具有耐高温的优良性质,且化学性质稳定,可与银浆完美结合烧结固定至基体中不变质。而其中采用银浆完成对接线槽口的补平工作,保证了整个接线部位的厚度均匀,保证在之后通电使用时,通电电流和电压的稳定性。可以长期稳定适应在高温环境下的工作,克服了锡焊接线技术高温无法使用的限制。
技术领域
本发明涉及电热膜用电极技术领域,具体为一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法。
背景技术
半导体纳米电热膜是新一代的发热材料。它的发热方式不同于传统金属电阻丝。它零感抗,纯电阻发热,可接受1V-1000V电压输入,供电电源不分正负,交直流均可使用。并且以面状发热打破了传统的线状发热形态,热传递效果好,电热转换效率高:80%~97%,具有较好的节能优势。其具有抗酸碱腐蚀,抗氧化,阻燃,防潮,膜层硬度高,需金刚砂以上的硬度打磨才会破坏膜层,膜层无毒、无有害辐射、无任何污染等物化性质。
透明半导体纳米电热膜的电极根据镀膜基体的发热温度分为高温电极和低温电极。高温电极又称为银浆电极,电极的制作过程就是将银浆与基体的结晶过程。银浆电极可耐800℃以上的高温,具有耐高温,不易氧化,不易磨损,导电率高,耐潮湿,耐一定酸碱性等一系列温度优良的物理化学性质。采用常规的锡焊技术焊接电极上银线,因为锡焊浆在180℃左右开始融化,从而会造成接线的脱落,因此造成电极无法适应高温的环境,工作条件受限。
发明内容
鉴于现有技术中所存在的问题,本发明公开了一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法,半导体纳米电热膜电极结构包括基体、电热膜、电极,其特征在于:包括步骤如下:
步骤一:用机械拉线机将银线端部加工出接头;
步骤二:用打孔设备在所述电极和所述基体上开设银线接线口,所述银线接线口的深度与所述银线的厚度相同;
步骤三:将所述银线的接头对应的按压至所述银线接线口中;
步骤四:再将银浆注入到所述银线接线口中,使其与所述电极的平面齐平;
步骤五:通过高温烧结方式将银浆与所述基体固化形成一体,从而完成银线的接线;其中高温烧结方式分为预热烘干阶段和高温烧结阶段两个阶段,预热烘干阶段是将发热基体输送至预热烘道,温度为150-270℃,时间控制在10-15分钟;高温烧结阶段是在预热烘干之后再将基体整体输送至烧结炉中,温度为580-750℃,时间控制在10-20分钟。
作为本发明的一种优选方案,步骤四中所述银浆为丝印制作所述电极时所用的银浆,而使注入的银浆与电极的平面齐平是为了在之后通电使用时,通电电流和电压的稳定性。
本发明的有益效果:本发明中的银线接线技术采用的是耐高温嵌入式的方式将银线固定在基体内部,选用高纯度的银线通过高温烧结方式与电极的基体固化到一起,因为高纯度的银线自身具有耐高温的优良性质,且化学性质稳定,可与银浆完美结合烧结固定至基体中不变质。而其中采用银浆完成对接线槽口的补平工作,保证了整个接线部位的厚度均匀,保证在之后通电使用时,通电电流和电压的稳定性。可以长期稳定适应在高温环境下的工作,克服了锡焊接线技术高温无法使用的限制。
附图说明
图1为本发明的半导体纳米电热膜电极结构示意图。
图中:1基体、2电热膜、3电极、301银线接线口、4银线。
具体实施方式
实施例1
如图1所示,本发明的一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法,半导体纳米电热膜电极结构包括基体1、电热膜2、电极3,其特征在于:包括步骤如下:
步骤一:用机械拉线机将银线4端部加工出接头;
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