[发明专利]一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法在审
申请号: | 202111579917.8 | 申请日: | 2021-12-22 |
公开(公告)号: | CN114284823A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 罗浩;杨小华;蔡建财;利华德 | 申请(专利权)人: | 福建晶烯新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01R43/00 | 分类号: | H01R43/00;H01R43/16;H05B3/03 |
代理公司: | 北京深川专利代理事务所(普通合伙) 16058 | 代理人: | 张彦 |
地址: | 364000 福建省龙岩市新*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 纳米 电热 耐高温 接线 方法 | ||
1.一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法,半导体纳米电热膜电极结构包括基体(1)、电热膜(2)、电极(3),其特征在于:包括步骤如下:
步骤一:用机械拉线机将银线(4)端部加工出接头;
步骤二:用打孔设备在所述电极(3)和所述基体(1)上开设银线接线口(301),所述银线接线口(301)的深度与所述银线(4)的厚度相同;
步骤三:将所述银线(4)的接头对应的按压至所述银线接线口(301)中;
步骤四:再将银浆注入到所述银线接线口(301)中,使其与所述电极(3)的平面齐平;
步骤五:通过高温烧结方式将银浆与所述基体(1)固化形成一体,从而完成银线的接线。
2.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法,其特征在于:步骤四中所述银浆为丝印制作所述电极(3)时所用的银浆。
3.根据权利要求1所述的一种半导体纳米电热膜耐高温银线接线方法,其特征在于:步骤五中高温烧结方式分为预热烘干阶段和高温烧结阶段两个阶段,预热烘干阶段是将发热基体输送至预热烘道,温度为150-270℃,时间控制在10-15分钟;高温烧结阶段是在预热烘干之后再将基体(1)整体输送至烧结炉中,温度为580-750℃,时间控制在10-20分钟。
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