[发明专利]一种芯片结构及其工作方法在审
申请号: | 202111579487.X | 申请日: | 2021-12-22 |
公开(公告)号: | CN114267670A | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 李伟;吕悦川;钱炜;吕小平 | 申请(专利权)人: | 北京智联安科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F15/78 |
代理公司: | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人: | 苗源 |
地址: | 100080 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 结构 及其 工作 方法 | ||
1.一种芯片结构,应用于终端,其特征在于,所述芯片结构包括:
基带芯片,设置在芯片结构的第一区域中,用于接入NB网络,所述基带芯片包括基带微处理器;
应用芯片,设置在所述芯片结构的第二区域中,用于运行用户程序,所述应用芯片包括应用微处理器;
其中,所述基带芯片与所述应用芯片电连接,所述基带微处理器与所述应用微处理器之间通过高级高性能总线和MAILBOX通信。
2.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述基带微控制器设置在第一区域的第一子区域,所述应用微控制器设置在第二区域的第二子区域,所述第一子区域与所述第二子区域相对设置。
3.根据权利要求2所述的芯片结构,其特征在于,所述基带微控制器包括ARM CORTEXM4处理器,所述应用微控制器包括ARM CORTEX M0处理器。
4.根据权利要求1至3任一所述的芯片结构,其特征在于,所述基带芯片还包括基带外设组,所述基带外设组设置在所述第一区域的第三子区域;
其中,所述基带外设组包括一个或多个基带外设单元,所述基带微处理器与所述基带外设单元电连接。
5.根据权利要求4所述的芯片结构,其特征在于,所述应用芯片还包括应用外设组,所述应用外设组设置在所述第二区域的第四子区域;
其中,所述应用外设组包括一个或多个应用外设单元,所述应用微处理器与所述应用外设单元电连接。
6.根据权利要求1所述的芯片结构,其特征在于,所述芯片结构还包括设置在所述芯片结构的第三区域中的以下至少一个或多个单元:
FLASH存储器单元、复位单元、电源管理单元、总线单元和输入/输出多路器;以上的一个或多个单元分别与所述基带芯片、所述应用芯片电连接。
7.一种芯片的工作方法,应用于终端,其特征在于,所述工作方法包括:
接收运行芯片的工作指令,所述工作指令包括待工作模式的标识信息;
获取配置信息,所述配置信息用于表征预设工作模式与工作芯片的对应关系,所述工作芯片包括基带芯片和应用芯片,所述基带芯片用于接入NB网络;所述应用芯片用于运行用户程序;
基于所述配置信息,运行所述待工作模式对应的所述工作芯片。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述配置信息,运行所述待工作模式对应的所述工作芯片包括:
获取所述工作指令中的标识信息;
根据所述标识信息以及所述预设工作模式与所述工作芯片的对应关系,确定所述待工作模式对应的所述工作芯片,运行所述工作芯片。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述预设工作模式包括第一工作模式,第二工作模式和第三工作模式,
其中,所述预设工作模式与所述工作芯片的对应关系包括:
在所述第一工作模式下运行所述基带芯片;在所述第二工作模式下运行所述基带芯片和所述应用芯片,配置所述基带芯片和所述应用芯片共用一颗FLASH单元;
在所述第三工作模式下运行所述基带芯片和所述应用芯片,配置所述基带芯片和所述应用芯片分别使用一颗FLASH单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的