[发明专利]一种基于构造弱场区的去耦方法及其装置

说明书

本发明涉及阵列天线去耦技术领域，具体涉及一种基于构造弱场区的去耦方法及其装置，通过确认第一安装地点和第二安装地点，配置两个天线单元和两个去耦结构；将天线单元安装在第一安装地点；将去耦结构安装在天线单元上，直至天线单元耦合给第二安装地点的电场减弱；将另一天线单元安装在第二安装地点，同时将另一相同的去耦结构安装在另一天线单元上，实现一对相邻单元间的去耦。基于构造弱场区的去耦方法具有优越的可扩展性，能够实现多对相邻天线单元间的去耦，还能够实现多对非相邻天线单元间的去耦，解决了传统的去耦方法可扩展性差从而影响非相邻单元间的去耦效果的问题。

技术领域

本发明涉及阵列天线去耦技术领域，尤其涉及一种基于构造弱场区的去耦方法及其装置。

背景技术

天线阵列日益大规模化，这就要求去耦方法具有可扩展性，从而能够被应用到更大规模阵列中，但传统的去耦方法有些无法被扩展到更大的多元阵列中，有些在扩展中需要额外的辅助结构或尺寸调整，不具备良好的可扩展性，从而影响非相邻单元间的去耦效果。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于构造弱场区的去耦方法，旨在解决传统的去耦方法可扩展性差从而影响非相邻单元间的去耦效果的问题。

为实现上述目的，第一方面，本发明提供了一种基于构造弱场区的去耦方法，包括：

确认第一安装地点和第二安装地点，配置两个天线单元和两个去耦结构；

将天线单元安装在第一安装地点；

将去耦结构安装在天线单元上，直至天线单元耦合给第二安装地点的电场减弱；

将另一天线单元安装在第二安装地点，同时将另一相同的去耦结构安装在另一天线单元上。

其中，所述将去耦结构安装在天线单元上，直至天线单元耦合给第二安装地点的电场减弱的具体方式为：

测试天线单元耦合给第二安装地点的电场并记录，得到第一测试结果；

将去耦结构安装在天线单元上；

再次测试天线单元耦合给第二安装地点的电场，并与第一测试结果进行对比，得到对比结果；

根据对比结果对去耦结构进行调整，直至将第二安装地点构建成弱场区。

第二方面，本发明提供了一种基于构造弱场区的去耦装置，包括：

FR4介质基片、两个天线单元和两个去耦结构，两个所述天线单元分别设置于所述FR4介质基片的两侧，两个所述去耦结构分别设置于所述FR4介质基片靠近所述天线单元的一侧；

所述FR4介质基片，用于安装两个所述天线单元和两个所述去耦结构；

所述天线单元，用于发射电场；

所述去耦结构，用于削弱所述天线单元在第二安装地点所发射的电场。

其中，所述第一安装地点和所述第二安装地点均位于FR4介质基片上，所述FR4介质基片相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02，厚度为1mm。

其中，所述天线单元包括矩形贴片和地，所述矩形贴片和所述地均为金属敷层，所述矩形贴片设置于所述FR4介质基片的上表面，所述地设置于所述FR4介质基片的下表面，所述矩形贴片和所述地分别连接到同轴电缆的高电压端和低电压端。

其中，所述矩形贴片包括贴片本体和馈线，所述馈线和所述贴片本体连接，且所述贴片本体和所述馈线均设置于所述FR4介质基片的上表面。

其中，所述地为一个矩形，所述地设置于所述FR4介质基片的下表面，所述地的长与所述FR4介质基片的长相同，所述地的宽小于所述FR4介质基片的宽。