[发明专利]一种基于构造弱场区的去耦方法及其装置

权利要求书

1.一种基于构造弱场区的去耦方法，其特征在于，包括：

确认第一安装地点和第二安装地点，配置两个天线单元和两个去耦结构；

将天线单元安装在第一安装地点；

将去耦结构安装在天线单元上，直至天线单元耦合给第二安装地点的电场减弱；

将另一天线单元安装在第二安装地点，同时将另一相同的去耦结构安装在另一天线单元上。

2.如权利要求1所述的基于构造弱场区的去耦方法，其特征在于，所述将去耦结构安装在天线单元上，直至天线单元耦合给第二安装地点的电场减弱的具体方式为：

测试天线单元耦合给第二安装地点的电场并记录，得到第一测试结果；

将去耦结构安装在天线单元上；

再次测试天线单元耦合给第二安装地点的电场，并与第一测试结果进行对比，得到对比结果；

根据对比结果对去耦结构进行调整，直至将第二安装地点构建成弱场区。

3.一种基于构造弱场区的去耦装置，应用于权利要求1所述的基于构造弱场区的去耦方法，其特征在于，包括：

FR4介质基片、两个天线单元和两个去耦结构，两个所述天线单元分别设置于所述FR4介质基片的两侧，两个所述去耦结构分别设置于所述FR4介质基片靠近所述天线单元的一侧；

所述FR4介质基片，用于安装两个所述天线单元和两个所述去耦结构；

所述天线单元，用于发射电场；

所述去耦结构，用于削弱所述天线单元在第二安装地点所发射的电场。

4.如权利要求3所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述第一安装地点和所述第二安装地点均位于FR4介质基片上，所述FR4介质基片相对介电常数为4.4，损耗角正切为0.02，厚度为1mm。

5.如权利要求3所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述天线单元包括矩形贴片和地，所述矩形贴片和所述地均为金属敷层，所述矩形贴片设置于所述FR4介质基片的上表面，所述地设置于所述FR4介质基片的下表面，所述矩形贴片和所述地分别连接到同轴电缆的高电压端和低电压端。

6.如权利要求5所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述矩形贴片包括贴片本体和馈线，所述馈线和所述贴片本体连接，且所述贴片本体和所述馈线均设置于所述FR4介质基片的上表面。

7.如权利要求5所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述地为一个矩形，所述地设置于所述FR4介质基片的下表面，所述地的长与所述FR4介质基片的长相同，所述地的宽小于所述FR4介质基片的宽。

8.如权利要求3所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述去耦结构包括T型枝节和两个哑铃型枝节，所述T型枝节和两个所述哑铃型枝节均为金属敷层，所述T型枝节设置于所述FR4介质基片的上表面，两个所述哑铃型枝节设置于所述FR4介质基片的下表面。

9.如权利要求8所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述哑铃型枝节包括四个矩形和三个短枝节，三个短枝节将四个矩形连接，三个所述短枝节大小相等，四个所述矩形面积由大变小，长和宽分别构成公差为0.9mm的和公差为0.8mm的等差数列。

10.如权利要求8所述的基于构造弱场区的去耦装置，其特征在于，

所述T型枝节包括竖枝节和横枝节，所述竖枝节设置于所述FR4介质基片的上表面，所述横枝节设置于所述竖枝节上。