[发明专利]阵列基板及液晶显示面板

说明书

本申请公开了一种阵列基板及液晶显示面板。所述阵列基板包括衬底、公共电极、第一绝缘层、像素电极以及存储电极；公共电极设置在衬底的一侧；第一绝缘层设置在公共电极远离衬底的一侧；像素电极设置在第一绝缘层远离公共电极的一侧；存储电极设置在公共电极靠近或远离第一绝缘层的一侧，存储电极于衬底所在平面的正投影与像素电极于衬底所在平面的正投影至少部分重叠。本申请提高了像素电压维持能力。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

液晶显示屏的显示模式具有垂直配向(Vertical Alignment,VA)型显示模式和平面转换(In-Plane Switching,IPS)型显示模式等。其中，VA架构是大尺寸液晶显示面板常用的显示模式，由于VA架构的特殊性，阵列基板中像素的存储电容相较于IPS架构会小很多。

目前，大尺寸的商务显示装置应用越来越广泛，大尺寸商务液晶显示面板的最大优势是在不影响其显示特性的前提下尽量降低显示功耗，显示功耗大约为几十微瓦。具体体现在低频驱动可实现低功耗显示，但这种驱动形式通常会使一帧时间超过1s，从而导致像素漏电时间过长，像素电压无法稳定维持。尤其对于高分辨率要求的产品而言，像素尺寸较小，像素内存储电容空间不足，因而导致低频驱动条件下，高分辨率产品无法满足像素电压维持的需求。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及液晶显示面板，以提高像素电压维持能力，满足低频驱动和高分辨率产品的设计需求。

本申请实施例提供一种阵列基板，其包括：

衬底；

公共电极，设置在所述衬底的一侧；

第一绝缘层，设置在所述公共电极远离所述衬底的一侧；

像素电极，设置在所述第一绝缘层远离所述公共电极的一侧；以及

存储电极，设置在所述公共电极靠近或远离所述第一绝缘层的一侧，所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影与所述像素电极于所述衬底所在平面的正投影至少部分重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储电极与所述公共电极相连。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储电极位于所述公共电极远离所述第一绝缘层的一侧，所述存储电极靠近所述公共电极的表面与所述公共电极接触。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影位于所述像素电极于所述衬底所在平面的正投影内。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板具有发光区，所述存储电极的图案与所述像素电极位于所述发光区的部分的图案相同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括栅极，所述栅极包括第一栅极部和连接于所述第一栅极部的第二栅极部，所述第一栅极部位于所述第二栅极部靠近所述衬底的一侧，所述第一栅极部与所述存储电极同层且间隔设置，所述第二栅极部与所述公共电极同层且间隔设置。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括漏极，所述漏极设置在所述像素电极朝向所述第一绝缘层的一侧，所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影与所述漏极与所述衬底所在平面的正投影部分重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影与所述公共电极于所述衬底所在平面的正投影重叠。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储电极和所述公共电极采用同一道光罩制备得到。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述存储电极位于所述公共电极靠近所述第一绝缘层的一侧，所述存储电极靠近所述公共电极的表面与所述公共电极接触。