[发明专利]阵列基板及液晶显示面板在审
| 申请号: | 202111555023.5 | 申请日: | 2021-12-17 |
| 公开(公告)号: | CN114280864A | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
| 发明(设计)人: | 陈艳玲 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 液晶显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底;
公共电极,设置在所述衬底的一侧;
第一绝缘层,设置在所述公共电极远离所述衬底的一侧;
像素电极,设置在所述第一绝缘层远离所述公共电极的一侧;以及
存储电极,设置在所述公共电极靠近或远离所述第一绝缘层的一侧,所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影与所述像素电极于所述衬底所在平面的正投影至少部分重叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极与所述公共电极相连。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极位于所述公共电极远离所述第一绝缘层的一侧,所述存储电极靠近所述公共电极的表面与所述公共电极接触。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影位于所述像素电极于所述衬底所在平面的正投影内。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板具有发光区,所述存储电极的图案与所述像素电极位于所述发光区的部分的图案相同。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅极,所述栅极包括第一栅极部和连接于所述第一栅极部的第二栅极部,所述第一栅极部位于所述第二栅极部靠近所述衬底的一侧,所述第一栅极部与所述存储电极同层且间隔设置,所述第二栅极部与所述公共电极同层且间隔设置。
7.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括漏极,所述漏极设置在所述像素电极朝向所述第一绝缘层的一侧,所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影与所述漏极与所述衬底所在平面的正投影部分重叠。
8.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极于所述衬底所在平面的正投影与所述公共电极于所述衬底所在平面的正投影重叠。
9.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极和所述公共电极采用同一道光罩制备得到。
10.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极位于所述公共电极靠近所述第一绝缘层的一侧,所述存储电极靠近所述公共电极的表面与所述公共电极接触。
11.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括层间绝缘层,所述层间绝缘层设置在所述存储电极和所述公共电极之间,所述层间绝缘层中开设有连接孔,所述存储电极通过所述连接孔与所述公共电极相连。
12.根据权利要求11所述的阵列基板,其特征在于,所述存储电极位于所述公共电极远离所述第一绝缘层的一侧,所述阵列基板还包括栅极,所述栅极包括第一栅极部和绝缘于所述第一栅极部的第二栅极部,所述第一栅极部与所述存储电极同层且间隔设置,所述第二栅极部与所述公共电极同层且间隔设置。
13.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极于所述衬底所在平面的正投影与所述像素电极于所述衬底所在平面的正投影部分重叠,所述公共电极和所述像素电极之间形成第一存储电容,所述存储电极和所述像素电极之间形成第二存储电容,所述第一存储电容与所述第二存储电容并联。
14.一种液晶显示面板,其特征在于,所述液晶显示面板包括阵列基板、彩膜基板以及设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层,所述阵列基板为权利要求1至13任一项所述的阵列基板。
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