[发明专利]一种氧化铟镱钇粉体及其制备方法与应用

说明书

本发明公开了一种氧化铟镱钇粉体及其制备方法与应用，属于氧化铟掺杂粉体制备技术领域；本发明的氧化铟镱钇粉体的结构式为In_1‑x‑yYb_xY_yO；其中，0.001≤x≤0.216，0.001≤y≤0.376；另外，氧化铟镱钇粉体的D₅₀＝0.6‑0.8μm，D₁₀≥0.4μm，D₉₀≤1.2μm，粒度分布系数P＝(D₉₀‑D₁₀)/D₅₀≤0.86；本发明的技术方案提供的氧化铟镱钇粉体，选择采用金属钇和金属镱作为掺杂元素掺入氧化铟粉体中，能够避免大粒径稀有元素掺入氧化铟粉体引起的成分不均一、粒径分布不集中的问题，从而可以制备得到成分均一、粒径分布集中的氧化铟镱钇粉体；本发明提供的技术方案提供的氧化铟镱钇粉体的制备工艺简单、制备效率高，因此能直接应用于工业生产，制备得到的产品可用于制备高密度、高均匀度、具备优异光电特性的氧化铟镱钇靶材。

技术领域

本发明属于氧化铟掺杂粉体制备技术领域，尤其涉及一种氧化铟镱钇粉体及其制备方法与应用。

背景技术

太阳能是一种清洁能源电池，太阳能广泛的应用在生活和生产中，在太阳能电池，尤其是通过掺杂在异质结太阳能电池的电极和非晶硅之间加一层透明导电膜(TCO)可以有效地增加载流子的收集，提高太阳能电池的转换效率；目前常用的半导体氧化物薄膜材料种类较多，但是现有技术中的异质结太阳能电池中，N型掺杂层受掺杂量极限限制，使得N型掺杂层的激活效率较低，导致该N型掺杂层的光电导率比较低，该N型掺杂层的体电阻大，导致电池的串联电阻增大，电池效率降低。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术的不足之处而提供一种成分均一、粒径分布集中的氧化铟镱钇粉体及其制备方法与应用。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种氧化铟镱钇粉体，所述氧化铟镱钇粉体的结构式为In_1-x-yYb_xY_yO；其中，0.001≤x≤0.216，0.001≤y≤0.376。

本发明的技术方案提供的氧化铟镱钇粉体，选择采用金属钇和金属镱作为掺杂元素掺入氧化铟粉体中，能够避免大粒径稀有元素掺入氧化铟粉体引起的成分不均一、粒径分布不集中的问题，从而可以制备得到成分均一、粒径分布集中的氧化铟镱钇粉体，制备得到的成分均一、粒径分布集中的氧化铟镱钇粉体可以用于制备高密度、组织均匀、具备优异光电特性的氧化铟镱钇靶材。

作为本发明所述氧化铟镱钇粉体的优选实施方式，所述氧化铟镱钇粉体的D₅₀＝0.6-0.8μm，D₁₀≥0.4μm，D₉₀≤1.2μm，粒度分布系数P＝(D₉₀-D₁₀)/D₅₀≤0.86。

本发明技术方案提供的氧化铟镱钇粉体的粒度分布系数≤0.86，体现了良好的粒径分布集中性，因此，该粉体能用于制备高密度、组织均匀、具备优异光电特性的氧化铟镱钇靶材。

作为本发明所述氧化铟镱钇粉体的优选实施方式，所述氧化铟镱钇粉体的原料包括氧化钇、氧化铟和氧化镱。

作为本发明所述氧化铟镱钇粉体的优选实施方式，所述氧化钇的粒径为120-250nm，所述氧化铟的粒径为120-250nm，所述氧化镱的粒径为120-250nm。

作为本发明所述氧化铟镱钇粉体的优选实施方式，所述氧化钇的纯度在99.99％以上，所述氧化铟的纯度在99.99％以上，所述氧化镱的纯度在99.99％以上。