[发明专利]一种导电膜在审
| 申请号： | 202111543188.0 | 申请日： | 2021-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN114203340A | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 穆希;李西军 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 范继晨 |
| 地址： | 310024 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 | ||
1.一种导电膜，其包括衬底层，其特征在于，在所述衬底层上通过沉积方式依次设置平坦层、梯度种子层、金属层、蛛网层、种子层以及调色层，所述金属层中的金属能够实现层状生长。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述衬底层采用石英制成。
3.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述平坦层包括第一平坦层和第二平坦层，所述第一平坦层采用氮化物或者氧化物制成或者形成基于氮氧化物的组合层，所述第二平坦层采用氧化物制成。
4.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述第一平坦层采用SiAlNx、SiZrNx、ZnSnOx中的至少一种制成；所述第二平坦层采用ZnOx、ZnAlOx、ZnSnOx、ZnSnOx:Sb中的至少一种制成。
5.根据权利要求3所述的导电膜，其特征在于，所述第一平坦层的厚度在10.0-40.0nm的范围内选择；所述第二平坦层的厚度在10.0-40.0nm的范围内选择。
6.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述梯度种子层是基于多种氧化物的组合层或者基于单一氧化物的不同成分梯度的组合层。
7.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述梯度种子层采用ZnSnOx-ZnO、ZnSnOx:Sb-ZnO、ZnSnOx-(ZnSnOx:ZnOx)-ZnO、ZnSnOx；Sb-(ZnSnOx:Sb:ZnOx)-ZnO、ZnSnOx-(ZnSnOx:ZnAlOx)-ZnAlO；ZnSnOx；Sb-(ZnSnOx:Sb:ZnAlOx)-ZnAlO中的至少一种制成。
8.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，所述梯度种子层的厚度在10.0-40.0nm的范围内选择。
9.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述金属层采用银或银合金制成。
10.根据权利要求9所述的导电膜，其特征在于，所述金属层的厚度在10.0-20.0nm的范围内选择。
11.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述蛛网层采用金属或者梯度金属或者梯度氧化物制成。
12.根据权利要求11所述的导电膜，其特征在于，所述蛛网层采用NiCrx、Ni、Ti、Cr；NiCrOx、TiOx、梯度NiCrx-NiCrOx、梯度Ti-TiOx中的至少一种制成。
13.根据权利要求11所述的导电膜，其特征在于，所述蛛网层的厚度在0.0-1.5nm的范围内选择。
14.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述种子层采用氧化物或者氮化物制成。
15.根据权利要求14所述的导电膜，其特征在于，所述种子层采用ZnOx、ZnAlOx、ZnSnOx、ZnSnOx:Sb中的至少一种制成。
16.根据权利要求14所述的导电膜，其特征在于，所述种子层的厚度在10.0-40.0nm的范围内选择。
17.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述调色层包括折射率不同的第一调色层和第二调色层，所述第一调色层和/或第二调色层采用氮化物或氧化物制成或者形成基于氮氧化物的组合层。
18.根据权利要求17所述的导电膜，其特征在于，所述第一调色层和/或所述第二调色层采用SiAlNx、SiZrNx、ZnSnOx、ZrOx中的至少一种制成。
19.根据权利要求17所述的导电膜，其特征在于，第一调色层和/或第二调色层的厚度在10.0-40.0nm的范围内选择。
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