[发明专利]一种单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路在审
申请号: | 202111542112.6 | 申请日: | 2021-12-16 |
公开(公告)号: | CN114221649A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 黄胜明;范嘉琪;韦天桐 | 申请(专利权)人: | 苏州瑞铬优电子科技有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H03K19/00 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人: | 庞学欣 |
地址: | 215613 江苏省苏州市张家港市凤*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单一 输入 实现 逻辑 组合 控制电路 | ||
1.一种单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路,其特征在于:所述控制电路包括:P沟场效应管PM0、第一P沟场效应管PM1、第二P沟场效应管PM2、第三P沟场效应管PM3、第四P沟场效应管PM4、第一N沟场效应管NM1、第二N沟场效应管NM2、第三N沟场效应管NM3、第四N沟场效应管NM4和电阻器R1;其中:P沟场效应管PM0、第二P沟场效应管PM2、第三P沟场效应管PM3和第四P沟场效应管PM4的源极和衬底与第一电源VDD连接、栅极均与第二输入端ibias连接,P沟场效应管PM0的漏极与第二输入端ibias连接;第二P沟场效应管PM2的漏极与第一P沟场效应管PM1的源极连接;第三P沟场效应管PM3的漏极与第二N沟场效应管NM2的漏极连接;第四P沟场效应管PM4的漏极与第四N沟场效应管NM4的漏极连接;第一P沟场效应管PM1的衬底与第一电源VDD连接、第一P沟场效应管PM1的漏极为第一输出端outA;第一N沟场效应管NM1的栅极为第一输入端in,第一N沟场效应管NM1的漏极为第二输出端outB;第一N沟场效应管NM1、第三N沟场效应管NM3和第四N沟场效应管NM4的源极和衬底与第二电源VSS连接;第二N沟场效应管NM2的栅极和漏极同时与第一输入端in连接、第二N沟场效应管NM2的源极与第三N沟场效应管NM3的漏极连接、第二N沟场效应管NM2的衬底与第二电源VSS连接,第三N沟场效应管NM3的栅极与第四N沟场效应管NM4的漏极连接;第四N沟场效应管NM4的栅极和漏极连接;电阻器R1的一端与第一P沟场效应管PM1的漏极连接、另一端与第一N沟场效应管NM1的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路,其特征在于:所述第二P沟场效应管PM2的宽长比是P沟场效应管PM0的4倍。
3.根据权利要求1所述的单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路,其特征在于:所述第三P沟场效应管PM3、第四P沟场效应管PM4和P沟场效应管PM0的具有相同的宽长比。
4.根据权利要求1所述的单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路,其特征在于:所述第二N沟场效应管NM2、第三N沟场效应管NM3和第四N沟场效应管NM4具有相同的宽长比。
5.根据权利要求1所述的单一输入端实现三种逻辑组合的控制电路,其特征在于:所述第一N沟场效应管NM1的宽长比是第二N沟场效应管NM2宽长比的4倍。
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