[发明专利]一种多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111540123.0 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114351239A | 公开（公告）日： | 2022-04-15 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;徐伟;甄超;白朔;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/12;C30B33/02 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 金属 化合物 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，以金属基体或表面沉积金属涂层的基体为前驱体，将其悬置于含氟化氢铵的水和乙二醇混合液的上方，密封于反应釜中进行水热处理，待冷却至室温后取出样品，去离子水清洗并烘干，获得基体支撑的铵-金属氧氟化合物单晶阵列薄膜；进一步在不同气氛下热处理后，铵-金属氧氟化合物单晶阵列薄膜拓扑转变为多孔金属化合物阵列薄膜。
2.按照权利要求1所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，前驱体为各种形态的金属基体以及各种表面沉积金属涂层的基体。
3.按照权利要求1所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，含氟化氢铵的水和乙二醇混合液中，水和乙二醇的质量比例为0～0.5，氟化氢铵的摩尔浓度为0.01～1M。
4.按照权利要求1所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，水热处理温度为80～220℃，水热处理时间为0.5h～24h。
5.按照权利要求1所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，在不同气氛下热处理时，热处理气氛包括空气、氧气、氮气、氩气、氨气、氦气、氢气、硫化氢、硼烷、甲烷、乙炔、一氧化碳、二氧化碳、二氧化硫气体中的一种或两种以上混合气体。
6.按照权利要求1或5所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，热处理温度为150～1200℃之间，热处理时间为0.1h～24h。
7.按照权利要求1所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，多孔金属化合物的微观形貌包括片状、锥状、带状、柱状或块状。
8.按照权利要求1所述的多孔金属化合物阵列薄膜的制备方法，其特征在于，多孔金属化合物阵列薄膜的技术参数如下：厚度0.2μm～40μm，孔隙率为5％～65％，平均孔径为1nm～200nm。
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