[发明专利]一种喷射管的清洗方法

说明书

本发明公开了一种喷射管的清洗方法，旨在解决喷射管清洗效果不佳的不足。该发明喷射管清洗过程中，S2进行超声波洗净，可以去除由于其他工序带来的2um以上颗粒污染。S3进行应力刻蚀，采用KOH溶液有效快速的去除污渍，对喷射管的腐蚀倾向小，过程中产生较大的冲击力使污垢迅速剥离，从而能够提高喷射管的清洗效果。S5喷砂过程中对喷射管的全表面进行快速喷扫处理，可以去除产品表面氢氧化钾溶液腐蚀但是没有能够完全的残余薄膜，并且该步骤不会对喷射管表面粗糙度造成较大影响。S7中使用的SC2洗净方法，能够有效的去除喷射管表面的Na、Mg、Fe等相关金属元素。喷射管清洗过程中清洗效果好，能达到理想的清洗要求。

技术领域

本发明涉及一种半导体制造领域，更具体地说，它涉及一种喷射管的清洗方法。

背景技术

半导体硅材料是集成电路芯片制造中不可或缺的核心材料器件。由于中国集成电路事业高速发展，相关半导体设备与关键零部件的需求也日益激增。目前国内外集成电路的主要衬底材料是硅片，硅片线宽不断变小对硅部件加工提出了越来越高的要求，产品表面不能存在微观的加工缺陷，如破碎层、微裂纹等。同时产品还需要满足较高的洁净度，表面不能有有机污染、颗粒和金属等杂质。喷射管作为将工艺气体导入工艺腔体的关键性零部件，如果自身洁净度不达标，管上附着的小颗粒将会混入反应气体，就会对生产制造过程产生严重的污染，导致经济损失。

目前喷射管用硅材质做成，所以其耐酸耐碱能力强，可以利用高浓度的酸碱去除由于机加工过程流下的脏污和刀痕，在硅质喷射管的清洗过程中，传统的清洗操作方法经常达不到理想的要求，由于硅材质的易脆性，喷射管容易损坏而无法使用，除此之外喷射管表面附着的赃污、氧化层得不到有效去除，因此亟需研发一种喷射管的清洗工艺。

发明内容

为了克服上述不足，本发明提供了一种喷射管的清洗方法，喷射管清洗过程中清洗效果好，能达到理想的清洗要求。

为了解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：一种喷射管的清洗方法，包括以下步骤：

S1，预检查：检测待清洗喷射管产品的外观、尺寸并拍照观察；

S2，超声波洗净：将喷射管放在超声波清洗机中进行超声波清洗，去除产品表面的污渍，从超声波清洗机中取出后纯水冲淋，再吹干；

S3，应力刻蚀：利用KOH腐蚀喷射管表面的氧化层，之后纯水冲淋，再吹干；

S4，表面准备：喷射管再一次放入超声波清洗机中进行热水冲洗，从超声波清洗机中取出后纯水冲淋，去除产品表面残留的碱液，再吹干；

S5，喷砂：将喷射管放入喷砂机中，进行喷砂处理，去除产品表面残留物和机加工留下来的刀纹；

S6，表面测量：目视产品，观察产品表面有无明显刀纹，然后用粗糙度检测仪器检测产品表面的粗糙度；

S7，最终洗净：将喷射管放入洗净机中，依次经过洗净机上的SC2槽和DIW槽，去除产品表面的金属离子，之后纯水冲淋，再吹干；

S8，湿式热氧化：将产品用纯水和洁净布擦干净，进行湿热氧化；

S9，外观检测：观察产品表面颜色变化情况，并与S1工序产品的图片进行颜色对比，从而判断出喷射管表面的氧化层厚度。

喷射管清洗过程中，S2进行超声波洗净，可以去除由于其他工序带来的2um以上颗粒污染。S3进行应力刻蚀，采用KOH溶液有效快速的去除污渍，对喷射管的腐蚀倾向小，过程中产生较大的冲击力使污垢迅速剥离，从而能够提高喷射管的清洗效果。S5喷砂过程中对喷射管的全表面进行快速喷扫处理，可以去除产品表面氢氧化钾溶液腐蚀但是没有能够完全的残余薄膜，并且该步骤不会对喷射管表面粗糙度造成较大影响。S7中使用的SC2洗净方法，能够有效的去除喷射管表面的Na、Mg、Fe等相关金属元素。喷射管清洗过程中清洗效果好，能达到理想的清洗要求。