[发明专利]功率晶体管的结终端在审
| 申请号： | 202111537531.0 | 申请日： | 2021-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN114220842A | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 胡巍;刘鹏飞;覃荣震;王梦洁;肖强;罗海辉 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈超德;吴昊 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 终端 | ||
1.一种功率晶体管的结终端，其特征在于，包括介质层、多个场限环组以及多个与所述场限环组对应的场板；
所述场板在所述介质层的投影面积大于所述场限环组在所述介质层的投影面积；
其中，所述场限环组包括主场限环和多个辅助场限环；
所述主场限环通过所述介质层的接触孔与对应的所述场板相连，所述辅助场限环通过所述介质层与对应的所述场板隔离。
2.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，所述主场限环在所述介质层的投影面积大于每个所述辅助场限环在所述介质层的投影面积。
3.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，多个所述辅助场限环的数目为2N+1；N为大于或等于1的整数；
所述主场限环与每个所述辅助场限环之间的距离相等。
4.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，多个所述辅助场限环的数目为2N；N为大于或等于1的整数；
任意两个辅助场限环形成一个辅助场限环对；
所述辅助场限环对以所述主场限环为中心对称分布。
5.根据权利要求4所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，每个辅助场限环对中两个辅助场限环之间的距离相等或不相等。
6.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，还包括场截止环和场截止板；
所述场截止环设置和所述场截止板均在所述介质层的边缘部位；
且所述场截止环与所述场截止板相连。
7.根据权利要求6所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，在背离所述介质层延伸的方向上，所述场截止环的长度大于所述主场限环的长度以及所述辅助场限环发长度。
8.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，所述介质层包括氧化层、氮化硅层或氧化组合层；其中，所述氧化组合层由半绝缘多晶硅层与氧化层形成。
9.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，所述场板为导电性场板。
10.根据权利要求1所述的功率晶体管的结终端，其特征在于，所述导电性场板包括铝场板、铝合金场板或多晶硅场板。
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