[发明专利]半导体封装件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202111531354.5 申请日: 2021-12-15
公开(公告)号: CN116093061A 公开(公告)日: 2023-05-09
发明(设计)人: 齐中邦 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/538;H01L23/31;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋兴;黄健
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,其特征在于,包括:

衬底结构,包括:

至少一内埋芯片;

模封基材,包覆所述至少一内埋芯片;以及

多个衬底导通孔,贯穿所述模封基材;以及

封装结构,设置于所述衬底结构的上表面并包括:

第一模封层;

至少一第一芯片,设置于所述第一模封层靠近所述衬底结构的第一侧,并耦接所述至少一内埋芯片;

第二模封层,设置于所述第一模封层的所述第一侧并包覆所述至少一第一芯片;

至少一第二芯片,设置于所述第一模封层相对于所述第一侧的第二侧上;以及

多个封装导通孔,贯穿所述第一模封层以耦接所述至少一第一芯片以及所述至少一第二芯片。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述模封基材、第一模封层以及所述第二模封层的材料包括环氧树脂。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述多个封装导通孔包括多个第一封装导通孔以及多个第二封装导通孔,所述多个第一封装导通孔贯穿所述第一模封层,且所述多个第二封装导通孔贯穿所述第二模封层并分别耦接所述多个第一封装导通孔。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,所述衬底结构还包括多个通孔,延伸穿过部分所述模封基材以耦接所述至少一内埋芯片以及所述封装结构。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,还包括第一模封材料,设置于所述衬底结构的所述上表面并包覆所述封装结构。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其特征在于,还包括至少一第三芯片,设置于所述衬底结构的所述上表面上并耦接所述多个衬底导通孔以及所述至少一内埋芯片,且所述第一模封材料包覆所述至少一第三芯片。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,还包括至少一第四芯片,设置于所述衬底结构相对于所述上表面的下表面并耦接所述多个衬底导通孔以及所述至少一内埋芯片。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其特征在于,还包括第二模封材料,设置于所述衬底结构的所述下表面,并包覆所述至少一第四芯片。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,还包括第一模封材料、第二模封材料以及多个导电柱,其中所述第一模封材料以及所述第二模封材料分别设置于所述衬底结构的相对两表面,且所述多个导电柱贯穿所述第一模封材料、所述衬底结构以及所述第二模封材料。

10.一种半导体封装件的制作方法,其特征在于,包括:

提供模封结构,其中所述模封结构包括第一模封层以及贯穿所述第一模封层的多个封装导通孔;

设置至少一第一芯片于所述模封结构的第一侧上,其中所述至少一第一芯片耦接所述多个封装导通孔;

形成第二模封层于所述第一模封层的所述第一侧上,其中所述第二模封层包覆所述至少一第一芯片;

设置至少一第二芯片于所述第一模封层相对于所述第一侧的第二侧上,以形成封装结构;以及

将所述封装结构设置于衬底结构的上表面,其中所述衬底结构包括至少一内埋芯片、包覆所述至少一内埋芯片的模封基材以及贯穿所述模封基材的多个衬底导通孔。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件的制作方法,其特征在于,提供所述模封结构包括:

经由模封工艺形成第一模封层;以及

经由激光钻孔工艺以及电镀工艺形成贯穿所述第一模封层的多个封装导通孔。

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