[发明专利]一种垂直区熔下降法制备钛酸镧晶体的方法在审
| 申请号： | 202111530746.X | 申请日： | 2021-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN114182347A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 金敏;李泉;袁海龙;王昂 | 申请（专利权）人： | 苏州科睿浦光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B13/00;C30B13/16;C30B13/32;C30B13/28 |
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| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 下降 法制 备钛酸镧 晶体 方法 | ||
1.一种垂直区熔下降法制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备原料：将原料混合均匀，压块成型，得到混合物；
(2)将装有步骤(1)所述混合物的坩埚置于真空晶体炉内；
(3)对真空晶体炉进行抽真空、升温后，保温8-12h后，调节坩埚高度，熔体出现晶体，降温至室温，即得所述钛酸镧晶体。
2.根据权利要求1所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(1)所述原料为TiO2、La2O3。
3.根据权利要求1所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(2)所真空晶体炉具有区域加热功能。
4.根据权利要求1或3所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(2)所真空晶体炉中具有长棒状发热体。
5.根据权利要求4所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(2)所述发热体长度为600-1600mm。
6.根据权利要求1所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(3)所述升温包括一次升温、二次升温。
7.根据权利要求6所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，所述一次升温的温度为1500-1700℃。
8.根据权利要求6所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，所述二次升温的温度为1900-1950℃。
9.根据权利要求6或7所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，所述一次升温后还包括充入惰性气体。
10.根据权利要求1所述制备钛酸镧晶体的方法，其特征在于，步骤(3)所述晶体的生长温度梯度为30-50℃/cm，坩埚高度的变化速度为0.5-2mm/h。
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