[发明专利]带隙基准电路在审
申请号: | 202111530058.3 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN116257110A | 公开(公告)日: | 2023-06-13 |
发明(设计)人: | 邸士伟;冯越 | 申请(专利权)人: | 西安格易安创集成电路有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 沈宗晶 |
地址: | 710065 陕西省西安市高新区天谷*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
本发明提供了一种带隙基准电路,其包括启动电路以及具有运算放大器和尾电流源的带隙基准核心电路,其启动电路设置在运算放大器的输出端与尾电流源之间或者设置在运算放大器的输出端与地之间,不会影响带隙基准核心电路的原有设计,且能够在一电压信号的控制下开启,形成运算放大器的输出端到地的通路,以向带隙基准核心电路提供启动所需的电压,确保带隙基准电路在上电后能够稳妥地进入工作状态,而且该启动电路在带隙基准核心电路稳定工作后能被关断,以断开该通路,进而避免了启动电路的增设而引入额外的功耗。
技术领域
本发明涉及集成电路设计技术领域,特别涉及一种带隙基准电路。
背景技术
带隙基准电路(Bandgap)广泛应用于各种模拟集成电路、数模混合信号集成电路和系统集成芯片中,用于向芯片中的其他电路提供基准电压(或称为参考电压)。正常情况下,带隙基准电路上电后存在两个稳定的状态:稳定工作或者不工作。为了确保带隙基准电路在上电后能够稳妥地进入工作状态,必须为带隙基准电路设计相应的启动电路。
然而,现有的启动电路通常是在带隙基准电路的运算放大器的外围进行额外设置,结构复杂且会给带来额外的功耗。
因此如何为带隙基准电路设置启动电路,以在确保带隙基准电路在上电后能够稳妥地进入工作状态的基础上,还能降低电路整体功耗和电路成本,成为本领域的热点问题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种带隙基准电路,在确保带隙基准电路在上电后能够稳妥地进入工作状态的基础上,其启动电路还能在带隙基准电路稳定工作后自行关断,以降低电路整体功耗。
为实现上述目的,本发明提供一种带隙基准电路,其包括:
带隙基准核心电路,所述带隙基准核心电路用于产生带隙基准电压并具有运算放大器,所述运算放大器具有差分输入单元和尾电流源,所述差分放大单元提供运算放大器的同相输入端、反相输入端以及输出端,所述尾电流源耦接在所述差分输入单元和地之间并向所述差分输入单元提供尾电流;以及
启动电路,启动电路的一端耦接所述运算放大器的输出端,启动电路的另一端接地或者与所述尾电流源和所述差分输入单元耦接,所述启动电路的控制端接入一电压信号,所述启动电路在所述电压信号的控制下开启,形成运算放大器的输出端到地的通路,以向所述带隙基准核心电路提供启动所需的电压,且所述启动电路在所述带隙基准核心电路稳定工作后自动关断,以断开所述通路。
可选地,所述尾电流源包括尾电流MOS管,所述尾电流MOS管的栅端接入一偏置电压,所述尾电流MOS管的源端接地,所述尾电流MOS管的漏端耦接所述差分输入单元。
可选地,所述启动电路包括MOS开关,所述MOS开关的控制端为所述启动电路的控制端,以接入所述电压信号,所述MOS开关的阈值电压大于所述尾电流MOS管的阈值电压。
可选地,所述MOS开关包括一个MOS管或者包括串联的多个MOS管。
可选地,所述尾电流MOS管的栅端与所述启动电路的控制端耦接,以使得所述偏置电压与所述电压信号是同一个信号;或者,所述电压信号为脉冲电压信号,所述偏置电压为恒压。
可选地,所述的带隙基准电路还包括偏置电路,所述偏置电路包括电阻串,所述电阻串的一端接入电源电压,另一端耦接所述尾电流MOS管的栅端,以向所述尾电流MOS管提供所述偏置电压。
可选地,所述差分输入单元包括第一输入MOS管和第二输入MOS管,所述第一输入MOS管的栅端为运算放大器的反相输入端,所述第二输入MOS管的栅端为运算放大器的同相输入端,所述第一输入MOS管的漏端为所述运算放大器的输出端,所述第一输入MOS管的源端、所述第二输入MOS管的源端与所述尾电流MOS管的漏端耦接。
可选地,所述运算放大器还包括负载电路单元,所述负载电路单元耦接所述差分输入单元,并为所述差分输入单元提供所需的负载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安格易安创集成电路有限公司,未经西安格易安创集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111530058.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。