[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

说明书

提供一种提高排气系统的清洁效率的基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。具有：对基板进行处理的处理容器；设于处理容器的内部且在平面上支承多个基板的支承部；向设定于处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；向设定于处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；沿着支承部的外周设置的排气缓冲构造部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第一气体供给部的第一气体的流动下游的第一气体排气部；与排气缓冲构造部连接且设在来自第二气体供给部的第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及向排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。

技术领域

本发明涉及基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。

背景技术

作为半导体器件的制造工序中使用的基板处理装置，存在例如构成为将多个基板排列配置成圆周状、并向各基板依次供给第一气体及第二气体、从而对各基板进行规定处理(成膜处理等)的基板处理装置(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016-102242号公报

发明内容

本发明针对在对所供给的气体进行排气时可能产生第一气体与第二气的混合的隐患，提供一种能够提高排气系统的清洁效率的技术。

根据本发明的一个方案，提供一种技术，具有：

对基板进行处理的处理容器；

设于上述处理容器的内部且在平面上支承多个上述基板的支承部；

向设于上述处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；

向设于上述处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；

沿着上述支承部的外周设置的排气缓冲构造部；

与上述排气缓冲构造部连接、且设于来自上述第一气体供给部的上述第一气体的流动下游的第一气体排气部；

与上述排气缓冲构造部连接、且设于来自上述第二气体供给部的上述第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及

向上述排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。

发明效果

根据本发明，通过向排气缓冲构造部供给清洁气体，能够提高排气系统的清洁效率。

附图说明

图1是本发明的一个实施方式的基板处理装置的从上方观察到的横截面概略图。

图2是本发明的一个实施方式的基板处理装置的纵截面概略图，是图1中的α-α’线剖视图。

图3是本发明的一个实施方式的基板处理装置的纵截面概略图，是图1中的β-β’线剖视图。

图4是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的基板支承机构的结构例的说明图。

图5是说明本发明的一个实施方式的基板处理装置中的气体供给部的结构例的说明图。

图6是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的控制器的功能结构例的框图。

图7是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置所执行的基板处理工序的步骤的例子的流程图。

附图标记说明

100 基板

200 基板处理装置

240 第一气体供给部

250 第二气体供给部