[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

对基板进行处理的处理容器；

设于所述处理容器的内部且在平面上支承多个所述基板的支承部；

能够向设定于所述处理容器内的第一领域供给第一气体的第一气体供给部；

能够向设定于所述处理容器内的第二领域供给第二气体的第二气体供给部；

沿着所述支承部的外周设置的排气缓冲构造部；

与所述排气缓冲构造部连接且设于来自所述第一气体供给部的所述第一气体的流动下游的第一气体排气部；

与所述排气缓冲构造部连接且设于来自所述第二气体供给部的所述第二气体的流动下游的第二气体排气部；以及

能够向所述排气缓冲构造部供给清洁气体的第三气体供给部。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

具有能够将所述清洁气体活化的活化部。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第三气体供给部构成为，

作为所述清洁气体而能够供给可除去含碳膜的第一清洁气体、和可除去不含碳膜的第二清洁气体，

在向所述排气缓冲构造部供给时，先供给所述第一清洁气体，然后供给所述第二清洁气体。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

具有能够向所述支承部上供给清洁气体的第四气体供给部。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第四气体供给部在重力方向即垂直方向上与所述第三气体供给部相比设于上方。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

具有控制部，该控制部以所述第三气体供给部对所述排气缓冲构造部进行清洁时的清洁气体的分压比所述第四气体供给部对所述支承部上进行清洁时的清洁气体的分压高的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部，

或者，以基于所述第三气体供给部对所述排气缓冲构造部的清洁的频率比基于所述第四气体供给部对所述支承部上的清洁的频率高的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部。

7.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

具有控制部，该控制部以所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部供给的清洁气体的供给时间比所述第四气体供给部向所述支承部上供给的清洁气体的供给时间长的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部，

或者，以从基于所述第四气体供给部向所述支承部上供给清洁气体起经过规定时间后，停止向所述支承部上的清洁气体供给并且开始基于所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部的清洁气体供给的方式进行控制，

或者，以所述第三气体供给部向所述排气缓冲构造部供给的清洁气体的供给次数比所述第四气体供给部向所述支承部上供给的清洁气体的供给次数多的方式，控制所述第三气体供给部及所述第四气体供给部。

8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

具有：

能够将所述第三气体供给部所供给的清洁气体活化的第一活化部；

将所述第四气体供给部所供给的清洁气体活化的第二活化部；以及

控制部，该控制部以所述第一活化部针对所述第三气体供给部所供给的清洁气体的活化能量的量比所述第二活化部的活化能量的量高的方式，控制所述第一活化部及所述第二活化部。

9.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

从所述第三气体供给部供给的清洁气体与从所述第四气体供给部供给的清洁气体的成分不同。