[发明专利]可擦写存储器及其制造方法

说明书

本发明提供了一种可擦写存储器，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极，所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；第一异质结和第二异质结具有单向导通电荷特性，第一异质结和第二异质结分别用于可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；隧穿层包括水平部和竖直部，竖直部用于隔断第一异质结和第二异质结，以避免第一异质结和第二异质结的横向电荷导通；沟道层用于电荷的迁移。采用两个异质结分别作为可擦写存储器的数据写入和数据擦除通道，使得可擦写存储器的数据写入和数据擦除更加稳定和对称，提高了数据擦除和数据写入速度，降低了动态功耗。本发明还提供了一种所述可擦写存储器的制作方法。

技术领域

本发明涉及可擦写存储器领域，尤其涉及一种可擦写存储器及其制造方法。

背景技术

现今主流的存储技术分为两类：挥发性存储技术和非挥发性存储技术。对于挥发性可擦写存储器主要包括静态随机可擦写存储器和动态随机可擦写存储器。挥发性可擦写存储器有着纳秒级的写入速度，然而其数据保持能力只有毫秒级，使得其只能用在缓存等有限的存储领域。对于非挥发性存储技术，比如闪存技术，其数据保持能力可以达到10年，然而相对缓慢的写入操作，极大地限制了其在高速缓存领域的应用。对于闪存技术，由于隧穿氧化层的厚度减小与电荷保持能力之间存在矛盾，导致了闪存较低的擦写速度。同时，电荷俘获层会分担部分电压，这将导致擦写电压的增大。另一方面，为了增加电荷保持能力，采用富含深能级缺陷的绝缘介质作为俘获层，这将导致电荷很难从俘获层中擦除，擦除速度较慢。

公开号为CN100570897C的发明专利公开了一种提高非挥发性可擦写存储器数据擦除速度的方法，所述的非挥发性可擦写存储器包括衬底，形成于衬底中的源极和漏极，以及形成于衬底上方的栅极，其中，栅极和衬底之间还具有三个相叠加的绝缘层，中间一层用于捕陷电荷，两边的绝缘层用于锁住中间层的电荷，所述的方法在数据擦除过程中在栅极上加载一负电压，同时在衬底上也加载一负电压。但是该发明可擦写存储器的数据擦除速度速度较低。

因此，有必要提供一种可擦写存储器及其制造方法以解决上述的现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于一种可擦写存储器及其制造方法，以解决可擦写存储器的数据擦除速度慢的问题。

为实现上述目的，本发明的所述可擦写存储器，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极；

所述衬底作为所述可擦写存储器的栅极；

所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；

所述第一异质结和所述第二异质结分别设置于所述阻挡层顶面相对的两端，所述第一异质结和所述第二异质结具有单向导通电荷特性，且所述第一异质结的电荷导通方向与所述第二异质结的电荷导通方向相反，所述第一异质结和所述第二异质结分别用于所述可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；

所述隧穿层包括水平部和竖直部，所述水平部覆盖于所述第一异质结和所述第二异质结的顶面，所述竖直部用于隔断所述第一异质结和所述第二异质结，以避免所述第一异质结和所述第二异质结的横向电荷导通；

所述沟道层覆盖于所述隧穿层顶面，用于电荷的迁移；

所述沟道层源极和所述漏极分别设置于所述沟道层顶面相对的两端。

本发明的所述可擦写存储器的有益效果在于：