[发明专利]可擦写存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种可擦写存储器，其特征在于，包括衬底、阻挡层、第一异质结、第二异质结、隧穿层、沟道层、源极和漏极；

所述衬底作为所述可擦写存储器的栅极；

所述阻挡层设置于所述衬底的顶面；

所述第一异质结和所述第二异质结分别设置于所述阻挡层顶面相对的两端，所述第一异质结和所述第二异质结具有单向导通电荷特性，且所述第一异质结的电荷导通方向与所述第二异质结的电荷导通方向相反，所述第一异质结和所述第二异质结分别用于所述可擦写存储器的数据写入操作和数据擦除操作；

所述隧穿层包括水平部和竖直部，所述水平部覆盖于所述第一异质结和所述第二异质结的顶面，所述竖直部用于隔断所述第一异质结和所述第二异质结，以避免所述第一异质结和所述第二异质结的横向电荷导通；

所述沟道层覆盖于所述隧穿层顶面，用于电荷的迁移；

所述沟道层源极和所述漏极分别设置于所述沟道层顶面相对的两端。

2.如权利要求1所述的可擦写存储器，其特征在于，所述第一异质结包括第一金属氧化层和第二金属氧化层，所述第一金属氧化层与所述阻挡层的顶面连接，所述第二金属氧化层的底面与所述第一金属氧化层连接，所述第二金属氧化层的顶面与所述水平部连接，所述第一金属氧化层与所述第二金属氧化层的组成材料不同。

3.如权利要求2所述的可擦写存储器，其特征在于，所述第二异质结包括第三金属氧化层和第四金属氧化层，所述第三金属氧化层与所述阻挡层的顶面连接，所述第四金属氧化层的底面与所述第三金属氧化层连接，所述第四金属氧化层的顶面与所述水平部连接；

所述第三金属氧化层与所述第二金属氧化层的组成材料相同，所述第四金属氧化层与所述第一金属氧化层的组成材料相同。

4.如权利要求3所述的可擦写存储器，其特征在于，当所述可擦写存储器被施加第一电场时，所述第一异质结处于导通状态，所述第二异质结处于反偏截止状态，所述沟道层中的电荷穿过所述隧穿层和所述第二金属氧化层后储存于所述第一金属氧化层中，完成所述可擦写存储器的数据写入操作，其中，所述第一电场的电场方向由所述衬底指向所述沟道层。

5.如权利要求4所述的可擦写存储器，其特征在于，当所述可擦写存储器被施加第二电场时，所述第二异质结处于导通状态，所述第一异质结处于反偏截止状态，所述第二异质结中的电荷穿过所述隧穿层进入所述沟道层，完成所述可擦写存储器的数据擦除操作，其中，所述第二电场的电场方向与所述第一电场的电场方向相反。

6.一种可擦写存储器的制造方法，其特征在于，包括步骤：

S1：提供衬底，在所述衬底上沉积绝缘介质以形成阻挡层；

S2：在所述阻挡层的顶面的第一区域形成第一异质结，在所述阻挡层的顶面的第二区域形成第二异质结，并在所述第一区域和所述第二区域间形成隔断区域；

S3：沉积绝缘介质以形成隧穿层，以使所述隧穿层覆盖所述第一异质结顶面、所述第二异质结顶面和所述隔断区域，以隔断所述第一异质结和所述第二异质结；

S4：在所述隧穿层顶面形成沟道层，并在所述沟道层的顶面上的两端分别形成源极和漏极。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述步骤S2中，在所述阻挡层的顶面的第一区域形成第一异质结，在所述阻挡层的顶面的第二区域形成第二异质结的步骤包括：

在所述阻挡层的顶面沉积第一金属氧化物以形成原第一金属氧化物层，刻蚀所述原第一金属氧化物层以在所述第一区域形成第一金属氧化层；

在所述第一金属氧化层上沉积第二金属氧化物以形成原第二金属氧化物层，刻蚀所述原第二金属氧化物层以在所述第一区域形成第二金属氧化层，使所述第二金属氧化层覆盖所述第一金属氧化层。