[发明专利]一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法

说明书

本发明涉及一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,包括：提供完成塑封减薄的晶圆；在晶圆的背面制作粘附层；以及通过临时键合胶将带有粘附层的晶圆与载片进行临时键合。本发明还涉及一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，包括：完成塑封减薄的晶圆；粘附层，所述粘附层覆盖在所述晶圆的背面；键合胶层，所述键合胶层覆盖在所述粘附层的上方；以及载片，所述载片设置在所述键合胶层的上方。该方法和结构通过在减薄后的塑封层表面旋涂一层有机材料，并选择性的进行光刻，然后进行临时键合工艺，可以有效提高载片与塑封层之间的粘结力，以支撑后续重布线制作、焊球电镀或者TSV背面露头工艺。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法。

背景技术

随着科技的发展，电子产品越来越趋向小型化和多功能化。人们将电子系统越做越小，集成度越来越高，功能越来越多、越来越强，为满足这些需求，半导体工业要将器件晶圆减薄至100微米或以下。超薄晶圆易碎性，并且容易翘曲和起伏，这些缺点成为了器件晶圆减薄和薄芯片处理的难点。

对于RDL-first Fanout或CoWoS技术，完成塑封及塑封减薄后，会进行背面晶圆级工艺，如RDL、焊球电镀或者TSV背面露头工艺等，由于环氧塑封料(EMC)被减薄至很薄或者由于翘曲等问题，很难直接进行工艺，需要临时键合来辅助完成后续工艺。但是由于EMC材料与临时键合胶材料之间的粘附力很差，晶圆翘曲或者高温产生的应力会导致临时键合出现分层问题。

发明内容

本发明的任务是提供一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法，通过在减薄后的塑封层表面旋涂一层有机材料，并选择性的进行光刻，然后进行临时键合工艺，可以有效提高载片与塑封层之间的粘结力，以支撑后续重布线制作、焊球电镀或者TSV背面露头工艺。

在本发明的第一方面，针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法，包括：

提供完成塑封减薄的晶圆；

在晶圆的背面制作粘附层；以及

通过临时键合胶将带有粘附层的晶圆与载片进行临时键合。

在本发明的一个优选方案中规定，还包括：对粘附层进行光刻工艺，去除所述晶圆中的芯片上方的粘附层。

在本发明的另一优选方案中规定，通过在所述晶圆的背面旋涂有机材料形成所述粘附层。

在本发明的又一优选方案中规定，所述粘附层的材料为感光树脂。

在本发明的另一优选方案中规定，在所述粘附层的上方涂覆临时键合胶形成键合胶层；

将设置有所述键合胶层的晶圆与所述载片进行键合，得到临时晶圆键合对。

在本发明的又一优选方案中规定，在所述载片的表面涂覆临时键合胶形成键合胶层；

通过将所述载片表面的键合胶层与所述晶圆背面的粘附层进行键合，得到临时晶圆键合对。

在本发明的第二方面，针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构，包括：

完成塑封减薄的晶圆；

粘附层，所述粘附层覆盖在所述晶圆的背面；

键合胶层，所述键合胶层覆盖在所述粘附层的上方；以及

载片，所述载片设置在所述键合胶层的上方。

在本发明的一个优选方案中规定，所述完成塑封减薄的晶圆，包括：

芯片；

金属焊盘，所述金属焊盘位于所述芯片的正面；