[发明专利]一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构和制作方法在审
申请号: | 202111524655.5 | 申请日: | 2021-12-14 |
公开(公告)号: | CN114242639A | 公开(公告)日: | 2022-03-25 |
发明(设计)人: | 戴风伟 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/31 |
代理公司: | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人: | 张东梅 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 塑封 表面 临时 强度 结构 制作方法 | ||
1.一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,包括:
提供完成塑封减薄的晶圆;
在晶圆的背面制作粘附层;以及
通过临时键合胶将带有粘附层的晶圆与载片进行临时键合。
2.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,其特征在于,还包括:对粘附层进行光刻工艺,去除所述晶圆中的芯片上方的粘附层。
3.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,其特征在于,通过在所述晶圆的背面旋涂有机材料形成所述粘附层。
4.如权利要求2所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,其特征在于,所述粘附层的材料为感光树脂。
5.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,其特征在于,在所述粘附层的上方涂覆临时键合胶形成键合胶层;
将设置有所述键合胶层的晶圆与所述载片进行键合,得到临时晶圆键合对。
6.如权利要求1所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构的制作方法,其特征在于,在所述载片的表面涂覆临时键合胶形成键合胶层;
通过将所述载片表面的键合胶层与所述晶圆背面的粘附层进行键合,得到临时晶圆键合对。
7.一种增加塑封料表面临时键合强度的键合结构,包括:
完成塑封减薄的晶圆;
粘附层,所述粘附层覆盖在所述晶圆的背面;
键合胶层,所述键合胶层覆盖在所述粘附层的上方;以及
载片,所述载片设置在所述键合胶层的上方。
8.如权利要求7所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构,其特征在于,所述完成塑封减薄的晶圆,包括:
芯片;
金属焊盘,所述金属焊盘位于所述芯片的正面;
塑封层,所述塑封层包裹所述芯片;
钝化层,所述钝化层覆盖在所述芯片和塑封层的正面,包裹所述金属焊盘。
9.如权利要求7或8所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构,其特征在于,所述粘附层覆盖在所述芯片和塑封层的背面。
10.如权利要求7或8所述的增加塑封料表面临时键合强度的键合结构,其特征在于,所述粘附层覆盖在所述塑封层的背面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司;上海先方半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111524655.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于神经网络的搜索排序方法、系统、设备及存储介质
- 下一篇:一种电动盘车装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造