[发明专利]一种半导体加工设备及其管路结构

说明书

本发明公开了一种半导体加工设备及其管路结构，该管路结构包括接管部件，所述接管部件具有一个用于与半导体加工设备的等离子发生器连接的入口端部，所述接管部件还具有至少两个出口端部；所述接管部件在所述入口端部和每个所述出口端部之间形成有流通通路，各所述流通通路相互分隔开；所述出口端部连接有用于与半导体加工设备的反应腔连接的支线管路。该管路结构的设置可在不影响清洁的基础上，减少沉积时工艺气体返流时流向其他反应腔的机会，并且结构简单易维护。

技术领域

本发明涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种半导体加工设备及其管路结构。

背景技术

在半导体加工设备中，通常使用等离子发生器(RPS)来解离清洗气体以对薄膜沉积后的反应腔室环境进行清洁，以便于对下一批晶圆进行沉积操作。

为控制成本，量产型设备通常是采用单个RPS对多个反应腔进行清洁，即多个反应腔通过一分多管件与单个RPS连通，并且管路结构设置上，各个反应腔的工艺气体的输送管路也会与该一分多管件连通，具体的，在反应腔前端的与一分多管件连接的分支管路的合适位置开设工艺气体的接口，这样就导致沉积时，工艺气体可能会通过分支管路向一分多管件方向返流，从而通过该一分多管路流向其他反应腔，造成多个反应腔内的晶圆的薄膜厚度存在波动。

目前，为了阻止工艺气体在一分多管件中窜流导致的晶圆膜厚不一的情况，通常在与每个反应站连接的分支管路上，靠近工艺气体接口处前端的位置增加阀门来截断，这样又会带来多个阀门维护的高成本问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种半导体加工设备及其管路结构，该管路结构的设置可在不影响清洁的基础上，减少沉积时工艺气体返流时流向其他反应腔的机会，并且结构简单易维护。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体加工设备的管路结构，包括接管部件，所述接管部件具有一个用于与半导体加工设备的等离子发生器连接的入口端部，所述接管部件还具有至少两个出口端部；所述接管部件在所述入口端部和每个所述出口端部之间形成有流通通路，各所述流通通路相互分隔开；所述出口端部连接有用于与半导体加工设备的反应腔连接的支线管路。

该发明提供的半导体加工设备的管路结构，将接管部件内用于与各反应腔连接的流通通路相互分隔开，这样，在沉积等工艺时，通向反应腔的工艺气体即便存在返流现象，在接管部件内部也因流通通路之间的分隔而减少了流向其他反应腔的机会，可确保各反应腔内晶圆的加工质量，同时只需在接管部件内部设置隔离流通通路的结构，避免了在各反应腔前端增设阀门，维护方便，成本低。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，所述流通通路在所述入口端部形成有进口部；还包括阀门部件，所述阀门部件与所述入口端部连接，所述阀门部件能够在关闭所述入口端部的第一位置和打开所述入口端部的第二位置之间切换，所述阀门部件处于所述第一位置，各所述进口部处于关闭状态。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，所述阀门部件包括密封板和控制件，所述密封板用于关闭或打开所述入口端部，所述控制件用于控制所述密封板所述第一位置和所述第二位置之间切换。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，各所述进口部均设有密封圈，所述密封板处于所述第一位置，所述密封板压抵所述密封圈。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，所述阀门部件与所述接管部件的所述入口端部之间设有密封圈。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，各所述流通通路相对所述接管部件的中心轴线结构对称。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，所述接管部件内设有一个以上的挡板，各所述流通通路之间通过所述挡板分隔。

如上所述的半导体加工设备的管路结构，所述流通通路包括相对靠近所述入口端部的第一通路段和相对靠近所述出口端部的第二通路段；所述第一通路段的轴线与所述第二通路段的轴线呈设定角度设置；所述挡板的延伸方向与所述第一通路段的轴线方向平行。