[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111521285.X | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114220835A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 卢彦春 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,所要解决的问题是提高发光器件膜层的厚度均匀性,采用的方案为:显示基板包括基板、阳极层、像素界定层和公共层,像素界定层具有多个像素凹槽,像素凹槽内侧设置有至少一个台阶,每个台阶包括第一表面和第一侧面,至少一个台阶设置于像素界定层的亲水层,公共层的一个公共图案设置于一个像素凹槽内,公共图案的一个有机功能层覆盖一个台阶的第一表面,有机功能层靠近边缘处的表面距离第一表面的尺寸,与有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等;本发明可以提高产品的良率。
技术领域
本发明涉及显示器制备技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)领域中,通常会利用喷墨打印等方法形成有机功能层薄膜,而喷墨打印方法属于湿法成膜工艺的一种,这种湿法成膜工艺中一般包含一个必不可少的步骤,即通过后续工艺去除多余的溶剂,从而干燥并形成所需要的薄膜。对于光电显示器件而言,干燥薄膜的形貌和均一性的好坏,对器件的显示效果具有较大的影响。
发明内容
为克服上述现有技术中的缺陷,本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,提高OLED有机功能层的膜厚均匀性,保持OLED器件良好的光电特性。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
本发明的第一方面提供了一种显示基板,所述显示基板包括:基板、叠设于所述基板一侧的阳极层、叠设于所述阳极层一侧的像素界定层和公共层,所述阳极层包括多个阳极图案,其中,所述阳极层与所述基板的叠设方向为第一方向;所述像素界定层具有多个像素凹槽,每个像素凹槽暴露一个所述阳极图案的一部分,所述像素凹槽内侧设置有至少一个台阶,每个所述台阶包括远离所述基板一侧的第一表面和与所述第一表面连接的第一侧面;所述像素界定层包括亲水层,所述至少一个台阶设置于所述亲水层;所述公共层包括多个公共图案,每个公共图案设置于一个所述像素凹槽内,所述公共图案包括至少一个有机功能层,一个所述有机功能层覆盖一个台阶的第一表面;在第一方向上,所述有机功能层靠近其边缘处的表面距离所述台阶的第一表面的尺寸,与所述有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等。
在像素凹槽内侧设置台阶,一个所述有机功能层覆盖一个台阶的第一表面,在第一方向上,所述有机功能层靠近边缘处的表面距离所述台阶的第一表面的尺寸,与所述有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等。这样通过台阶的设置,减少了有机功能层边缘处的膜厚,规避了有机功能层中间薄、边缘厚的边缘爬坡现象引起的有机膜层边缘和中心处的膜厚相差较大的问题,使得有机膜层边缘处的膜厚和中心处的膜厚相等或者大致相等,改善了由于有机膜层厚度不均影响发光器件发光效果,进而影响显示基板的画面品质的问题,提高了产品的良率。
在一些实施例中,所述至少一个有机功能层为一个有机功能层,所述至少一个台阶为一个台阶,所述有机功能层覆盖所述台阶的第一表面,且所述有机功能层的边缘与所述亲水层远离所述基板的一侧表面相接。
在一些实施例中,所述至少一个有机功能层为多个有机功能层,多个所述有机功能层沿第一方向层叠设置,所述至少一个台阶为多个台阶,所述多个台阶沿逐渐远离所述基板的方向依次设置;最远离所述基板的有机功能层的边缘与所述亲水层远离所述基板的一侧表面相接。
在一些实施例中,每个所述台阶在所述阳极层所在平面上的正投影沿第二方向的尺寸,与其所在的所述像素凹槽的底面沿所述第二方向的尺寸的比值为1/3~1/7;其中,所述第二方向垂直所述第一方向,且所述第二方向穿过所述像素凹槽的底面的中心。
在一些实施例中,所述像素界定层还包括疏水层,所述疏水层叠设于所述亲水层远离所述基板的一侧。
在一些实施例中,所述至少一个有机功能层包括发光层,或者,所述至少一个有机功能层包括发光层和空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一个或者多个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的