[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202111521285.X 申请日: 2021-12-13
公开(公告)号: CN114220835A 公开(公告)日: 2022-03-22
发明(设计)人: 卢彦春 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,其特征在于,包括:

基板;

叠设于所述基板一侧的阳极层,所述阳极层包括多个阳极图案,其中,所述阳极层与所述基板的叠设方向为第一方向;

叠设于所述阳极层一侧的像素界定层,其中,所述像素界定层具有多个像素凹槽,每个像素凹槽暴露一个所述阳极图案的一部分,所述像素凹槽内侧设置有至少一个台阶,每个所述台阶包括远离所述基板一侧的第一表面和与所述第一表面连接的第一侧面;所述像素界定层包括亲水层,所述至少一个台阶设置于所述亲水层;

公共层,所述公共层包括多个公共图案,每个公共图案设置于一个所述像素凹槽内,所述公共图案包括至少一个有机功能层,一个所述有机功能层覆盖一个台阶的第一表面;在第一方向上,所述有机功能层靠近其边缘处的表面距离所述台阶的第一表面的尺寸,与所述有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个有机功能层为一个,所述至少一个台阶为一个,所述有机功能层覆盖所述台阶的第一表面,且所述有机功能层的边缘与所述亲水层远离所述基板的一侧表面相接。

3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个有机功能层为多个,多个所述有机功能层沿第一方向层叠设置;

所述至少一个台阶为多个,所述多个台阶沿逐渐远离所述基板的方向依次设置;

最远离所述基板的有机功能层的边缘与所述亲水层远离所述基板的一侧表面相接。

4.根据权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,每个所述台阶在所述阳极层所在平面上的正投影沿第二方向的尺寸,与其所在的所述像素凹槽的底面沿所述第二方向的尺寸的比值为1/3~1/7;其中,所述第二方向垂直所述第一方向,且所述第二方向穿过所述像素凹槽的底面的中心。

5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述像素界定层还包括疏水层,所述疏水层叠设于所述亲水层远离所述基板的一侧。

6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个有机功能层包括发光层;

或者,所述至少一个有机功能层包括发光层,和空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一个或者多个。

7.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:

形成基板;

在所述基板一侧形成阳极层,所述阳极层包括多个阳极图案,其中,所述阳极层与所述基板的叠设方向定义为第一方向;

在所述阳极层的一侧形成像素界定层,所述像素界定层包括多个像素凹槽,每个像素凹槽暴露一个所述阳极图案的部分,所述像素凹槽内侧设置有至少一个台阶,每个所述台阶包括远离所述基板一侧的第一表面和与所述第一表面连接的第一侧面;所述像素界定层包括亲水层,所述至少一个台阶形成于所述亲水层;

形成公共层,所述公共层包括多个公共图案,一个公共图案位于一个所述像素凹槽内,所述公共图案包括至少一个有机功能层,一个所述有机功能层覆盖有一个台阶的第一表面;在第一方向上,所述有机功能层靠近边缘处的表面距离所述台阶的第一表面的尺寸,与所述有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等。

8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述像素凹槽内侧设置有一个台阶,在所述阳极层的一侧形成像素界定层的步骤包括:

在所述基板和所述阳极层上形成亲水材料层;

在所述亲水材料层上形成光刻胶层;

采用半色调掩膜板曝光所述光刻胶层,将所述光刻胶层形成全曝光区光刻胶、半曝光区光刻胶和非曝光区光刻胶;

显影所述光刻胶层,去除所述全曝光区光刻胶,且去除所述半曝光区光刻胶的远离所述基板的一部分;

蚀刻所述亲水材料层,去除所述亲水材料层中被所述光刻胶层暴露的部分,形成第一凹槽;

采用灰化工艺,去除所述半曝光区光刻胶;

蚀刻所述亲水材料层中被所述非曝光区光刻胶暴露的部分的远离所述基板的一部分,形成所述台阶;

剥离所述光刻胶层的剩余部分,得到所述像素界定层的亲水层。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111521285.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top