[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202111521285.X | 申请日: | 2021-12-13 |
公开(公告)号: | CN114220835A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 卢彦春 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基板;
叠设于所述基板一侧的阳极层,所述阳极层包括多个阳极图案,其中,所述阳极层与所述基板的叠设方向为第一方向;
叠设于所述阳极层一侧的像素界定层,其中,所述像素界定层具有多个像素凹槽,每个像素凹槽暴露一个所述阳极图案的一部分,所述像素凹槽内侧设置有至少一个台阶,每个所述台阶包括远离所述基板一侧的第一表面和与所述第一表面连接的第一侧面;所述像素界定层包括亲水层,所述至少一个台阶设置于所述亲水层;
公共层,所述公共层包括多个公共图案,每个公共图案设置于一个所述像素凹槽内,所述公共图案包括至少一个有机功能层,一个所述有机功能层覆盖一个台阶的第一表面;在第一方向上,所述有机功能层靠近其边缘处的表面距离所述台阶的第一表面的尺寸,与所述有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个有机功能层为一个,所述至少一个台阶为一个,所述有机功能层覆盖所述台阶的第一表面,且所述有机功能层的边缘与所述亲水层远离所述基板的一侧表面相接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个有机功能层为多个,多个所述有机功能层沿第一方向层叠设置;
所述至少一个台阶为多个,所述多个台阶沿逐渐远离所述基板的方向依次设置;
最远离所述基板的有机功能层的边缘与所述亲水层远离所述基板的一侧表面相接。
4.根据权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,每个所述台阶在所述阳极层所在平面上的正投影沿第二方向的尺寸,与其所在的所述像素凹槽的底面沿所述第二方向的尺寸的比值为1/3~1/7;其中,所述第二方向垂直所述第一方向,且所述第二方向穿过所述像素凹槽的底面的中心。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述像素界定层还包括疏水层,所述疏水层叠设于所述亲水层远离所述基板的一侧。
6.根据权利要求5所述的显示基板,其特征在于,所述至少一个有机功能层包括发光层;
或者,所述至少一个有机功能层包括发光层,和空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一个或者多个。
7.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
形成基板;
在所述基板一侧形成阳极层,所述阳极层包括多个阳极图案,其中,所述阳极层与所述基板的叠设方向定义为第一方向;
在所述阳极层的一侧形成像素界定层,所述像素界定层包括多个像素凹槽,每个像素凹槽暴露一个所述阳极图案的部分,所述像素凹槽内侧设置有至少一个台阶,每个所述台阶包括远离所述基板一侧的第一表面和与所述第一表面连接的第一侧面;所述像素界定层包括亲水层,所述至少一个台阶形成于所述亲水层;
形成公共层,所述公共层包括多个公共图案,一个公共图案位于一个所述像素凹槽内,所述公共图案包括至少一个有机功能层,一个所述有机功能层覆盖有一个台阶的第一表面;在第一方向上,所述有机功能层靠近边缘处的表面距离所述台阶的第一表面的尺寸,与所述有机功能层中心处的厚度相等或者大致相等。
8.根据权利要求7所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述像素凹槽内侧设置有一个台阶,在所述阳极层的一侧形成像素界定层的步骤包括:
在所述基板和所述阳极层上形成亲水材料层;
在所述亲水材料层上形成光刻胶层;
采用半色调掩膜板曝光所述光刻胶层,将所述光刻胶层形成全曝光区光刻胶、半曝光区光刻胶和非曝光区光刻胶;
显影所述光刻胶层,去除所述全曝光区光刻胶,且去除所述半曝光区光刻胶的远离所述基板的一部分;
蚀刻所述亲水材料层,去除所述亲水材料层中被所述光刻胶层暴露的部分,形成第一凹槽;
采用灰化工艺,去除所述半曝光区光刻胶;
蚀刻所述亲水材料层中被所述非曝光区光刻胶暴露的部分的远离所述基板的一部分,形成所述台阶;
剥离所述光刻胶层的剩余部分,得到所述像素界定层的亲水层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111521285.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的