[发明专利]具有晶体侧墙的纳米线/片器件及制造方法及电子设备

说明书

公开了一种具有晶体侧墙的纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。根据实施例，纳米线/片器件可以包括：衬底；与衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片；位于纳米线/片在第一方向上的相对两端且与纳米线/片相接的源/漏层；沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕纳米线/片的栅堆叠；以及设置在栅堆叠的侧壁上的侧墙，其中，侧墙在与纳米线/片邻接的至少部分区域中具有与纳米线/片实质上相同的晶体结构。

技术领域

本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及具有晶体侧墙的纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。

背景技术

纳米线或纳米片(以下简称为“纳米线/片”)器件，特别是基于纳米线/片的全环绕栅(GAA)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，能很好地控制短沟道效应，并实现器件的进一步微缩。另外，希望外延生长源/漏，例如为了增大源/漏以便于制作到源/漏的接触部，或者实现应力工程，等等。然而，随着不断小型化，难以生长高质量的源漏。

发明内容

有鉴于此，本公开的目的至少部分地在于提供一种具有晶体侧墙的纳米线/片器件及其制造方法及包括这种纳米线/片器件的电子设备。

根据本公开的一个方面，提供了一种纳米线/片器件，包括：衬底；与衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片；位于纳米线/片在第一方向上的相对两端且与纳米线/片相接的源/漏层；沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕纳米线/片的栅堆叠；以及设置在栅堆叠的侧壁上的侧墙，其中，侧墙在与纳米线/片邻接的至少部分区域中具有与纳米线/片实质上相同的晶体结构。

根据本公开的另一方面，提供了一种制造纳米线/片器件的方法，包括：在衬底上设置与衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片；在衬底上形成沿与第一方向相交的第二方向延伸且围绕纳米线/片的伪栅；在伪栅的侧壁上形成侧墙，其中，侧墙在与纳米线/片邻接的至少部分区域中具有与纳米线/片实质上相同的晶体结构；以纳米线/片在第一方向上的端部以及侧墙的所述至少部分区域为种子，生长源/漏层。

根据本公开的另一方面，提供了一种电子设备，包括上述纳米线/片器件。

根据本公开的实施例，侧墙可以在至少部分区域中具有与纳米线/片实质上相同的晶体结构。于是，源/漏层的生长不仅可以以纳米线/片为种子，还可以以侧墙(的至少部分区域)为种子。于是，可以得到高晶体质量的源/漏层。

附图说明

通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1至15(b)示意性示出了根据本公开实施例的制造纳米线/片器件器件的流程中的一些阶段；

图16(a)至21示意性示出了根据本公开另一实施例的制造纳米线/片器件器件的流程中的一些阶段；

图22(a)至29示意性示出了根据本公开另一实施例的制造纳米线/片器件的流程中的一些阶段。以下，将主要描述与上述实施例的不同之处，关于未详细描述的其他工艺可以参见以上实施例，

图30示意性示出了根据根据本公开另一实施例的纳米线/片器件，

其中，图1、3(a)、4(a)、5(b)、6、7、8(a)、9(a)、9(b)、10(a)、10(c)、11(a)、12(a)、13(a)、14(a)、15(a)、16(b)、17(b)、18、19、20(a)、21、22(b)、23(b)、24(a)、25至30是沿AA′线的截面图，

图3(b)、4(b)、8(b)、10(b)、11(b)、12(b)、13(b)、14(b)、15(b)、20(b)、24(b)是沿BB′线的截面图，