[发明专利]具有晶体侧墙的纳米线/片器件及制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种纳米线/片器件，包括：

衬底；

与所述衬底的表面间隔开且沿第一方向延伸的纳米线/片；

位于所述纳米线/片在所述第一方向上的相对两端且与所述纳米线/片相接的源/漏层；

沿与第一方向相交的第二方向延伸以围绕所述纳米线/片的栅堆叠；以及

设置在所述栅堆叠的侧壁上的侧墙，

其中，所述侧墙在与所述纳米线/片邻接的至少部分区域中具有与所述纳米线/片实质上相同的晶体结构。

2.根据权利要求1所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墙在所述至少部分区域中的晶格常数与所述纳米线/片的晶格常数相匹配。

3.根据权利要求2所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墒在所述至少部分区域中在没有应变时的晶格常数与所述纳米线/片在没有应变时的晶格常数相差小于±2％。

4.根据权利要求1所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墙与所述纳米线/片或所述源/漏层形成共晶体。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墙包括电介质材料。

6.根据权利要求5所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墙在所述至少部分区域中包括如下材料的氧化物或氮化物：锶(Sr)、钛(Ti)、镧(La)、铝(A1)、钕(Nd)、镥(Lu)、钆(Gd)，或其组合。

7.根据权利要求6所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墙在所述至少部分区域中包括SrTiO₃、LaAlO₃、NdAlO₃、GdAlO₃中至少之一。

8.根据权利要求5所述的纳米线/片器件，其中，所述电介质材料是低k材料。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，其中，所述侧墙包括半导体材料，其中所述半导体材料的禁带宽度大于或等于所述纳米线/片或所述源/漏层的禁带宽度。

10.根据权利要求9所述的纳米线/片器件，其中，所述半导体材料包括非掺杂或低掺杂的硅。

11.根据权利要求1至3中任一项所述的纳米线/片器件，其中，相比于单独以所述纳米线/片在所述第一方向上的端部为种子进行生长的情况，所述源/漏层具有较少的生长缺陷。

12.根据权利要求11所述的纳米线/片器件，其中，所述源/漏层中实质上没有生长缺陷。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，其中，设置有多个所述纳米线/片，每个所述纳米线/片在所述第一方向上彼此实质上平行延伸，且在竖直方向上实质上对准，

其中，在所述多个纳米线/片中的至少一对相邻纳米线/片之间，所述源/漏层具有实质上一致且连续的晶体表面。

14.根据权利要求13所述的纳米线/片器件，其中，所述源/漏层的晶体结构表现为从所述多个纳米线/片之间竖直地连续延伸且实质上一致的晶体表面生长的晶体。

15.根据权利要求1至4中任一项所述的纳米线/片器件，还包括：

介于所述栅堆叠与所述衬底之间的隔离部，

其中，所述隔离部自对准于所述栅堆叠。

16.根据权利要求15所述的纳米线/片器件，还包括：

设置在所述源/漏层中至少之一在所述第一方向上背对所述纳米线/片一侧的另一隔离部，所述另一隔离部的底面低于所述隔离部的顶面。

其中，所述另一隔离部沿所述第二方向延伸。