[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

本公开涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括：衬底以及设置于衬底上的多个驱动电路。驱动电路包括驱动晶体管和开关晶体管。其中，驱动晶体管包括：第一有源层以及位于第一有源层靠近衬底一侧的第一栅极。开关晶体管包括：与第一有源层同层设置的第二有源层，以及位于第二有源层背离衬底一侧的第二栅极。上述的显示基板及其制备方法、显示装置可以提升显示基板的显示性能，以及简化显示基板的制程。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix Organic Light Emitting Diode，简称AMOLED)显示基板因具有自发光、高对比度和功耗低等优点，被广泛应用于显示领域。

目前，在AMOLED显示基板中采用氧化物(Oxide)背板技术，具有制程简单、器件性能优异且大尺寸均一性好等优势。但是，氧化物晶体管作为电子导电型器件，虽然具备优良的开关性能，却在其作为驱动晶体管使用时，容易受限于极小的亚阈值摆幅(S.S.因子)或因驱动芯片电压数据的范围(Data Range)限制而出现中低灰阶难以有效展开或存储画面数据抗干扰能力差的问题，导致显示画面的灰阶过渡差，进而影响显示画面的细腻度及显示均一性。

发明内容

基于此，有必要提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，用于提升显示基板的显示性能，以及简化显示基板的制程。

根据本公开实施例的一个方面，提供一种显示基板。显示基板包括：衬底以及设置于衬底上的多个驱动电路。驱动电路包括驱动晶体管和开关晶体管。其中，驱动晶体管包括：第一有源层以及位于第一有源层靠近衬底一侧的第一栅极。开关晶体管包括：与第一有源层同层设置的第二有源层，以及位于第二有源层背离衬底一侧的第二栅极。

本公开实施例中，驱动晶体管的第一栅极位于第一有源层靠近衬底的一侧，即驱动晶体管采用了背栅结构。开关晶体管的第二栅极位于第二有源层背离衬底的一侧，即开关晶体管采用了顶栅结构。这也就是说，驱动晶体管和开关晶体管虽然使用了同层设置的有源层，但二者的栅极分别位于有源层的不同侧。这样可以通过调控有源层上下两层栅介质层的差异实现不同晶体管栅极对电流的控制能力的差异，确保开关晶体管具有优良的开关性能，同时确保驱动晶体管具有优良的数据展开性能。从而可以避免显示基板出现因中低灰阶难以有效展开及存储电位干扰而造成的灰阶过渡差的问题，有利于提升显示基板的显示性能，例如可以有效提高显示画面的细腻度及低灰阶均一性。

在一些实施例中，显示基板还包括：位于第一栅极和第一有源层之间的第一栅介质层，以及位于第二有源层和第二栅极之间的第二栅介质层。其中，第一栅介质层的厚度大于第二栅介质层的厚度。

优选的，第一栅介质层的厚度大于

本公开实施例中，第一栅介质层的厚度大于第二栅介质层的厚度，利于弱化第一栅极对第一有源层的控制能力，以增大驱动晶体管的亚阈值摆幅(S.S.因子)，从而提升驱动晶体管在中低灰阶下的数据展开性能及存储数据的抗干扰能力。

在一些实施例中，驱动电路还包括：与驱动晶体管相连的电容器。电容器包括：相对设置的第一电极和第二电极；其中，第一电极为第一栅极的延伸部；第二电极与第一有源层、第二有源层同层设置。

本公开实施例中，第一电极可以视为是第一栅极的一部分。第二电极与第一有源层、第二有源层同层设置，第二电极可以利用导体化之后的半导体材料构成。如此，方便于利用同一导电层同步形成第一栅极和第一电极，利用同一半导体材料层同步形成第一有源层、第二有源层和第二电极，从而简化显示基板的制程。

在一些实施例中，开关晶体管还包括：位于第二有源层靠近衬底一侧的第三栅极。其中，第三栅极与第一栅极同层设置，且第三栅极和第二栅极相连。