[发明专利]一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物

说明书

本发明公开了一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物，所述添加剂为吡唑啉类化合物，由两个相连的氮原子和三个碳原子组成的五元杂环化合物，并具有一个双键，该结构中含有孤对电子，可以和金属原子形成共价键，吡唑啉类化合物是一类非常重要的有机杂环化合物；本发明公开的光刻胶组合物的原料包括线性酚醛树脂、感光剂、溶剂、增感剂、流平剂和上述添加剂，该种添加剂可以吸附于金属表面形成致密保护膜，抑制金属的腐蚀，减少在显影过程中侧面腐蚀的发生，有效提高光刻胶的耐蚀性。

技术领域

本发明属于光刻胶技术领域，具体属于一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物。

背景技术

光刻胶主要应用于电子工业中集成电路和半导体分立器件的细微加工过程中，它利用光化学反应，经曝光、显影将所需要的微细图形从掩膜版上转移至待加工的基片上，然后进行刻蚀、扩散、离子注入、金属化等工艺。

随着半导体和液晶面板技术的不断发展，为了实现图形的高精度转移，对所使用的光刻胶提出了更高要求，主要体现在光刻胶的分辨率上，高分辨率依然是研究的重点方向；图形边缘齐整度越高，分辨率越高，而光刻胶的耐蚀性对线条边缘的齐整度起着决定性作用，为了得到齐整度更好的线条，势必需要进一步提高光刻胶耐蚀性能，现有光刻胶存在一定的侧蚀现象，实际金属线条的宽度往往小于光刻胶的宽度，当侧蚀现象严重时，将影响分辨率，因此如何提高光刻胶的耐蚀性成为了研发的关键。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种添加剂及包含该添加剂的光刻胶组合物，该种添加剂可以吸附于金属表面形成致密保护膜，抑制金属的腐蚀，减少在显影过程中侧面腐蚀的发生，有效提高光刻胶的耐蚀性。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种添加剂，所述添加剂为有机杂环化合物，由式1表示：

式1

其中，R₁为氢、苯基、卤代苯基、羧基苯基和磺酸苯基中的任意一种；

R3和R4为氢、C1～C6的烷基和C3～C6的环烷基中的任意一种；

R5为氢、羟基、羧基和酮基中的任意一种。

本发明还提供一种光刻胶组合物，原料包括线性酚醛树脂、感光剂、溶剂、增感剂、流平剂和上述添加剂。

进一步的，按重量占比计，原料包括10％～15％的线性酚醛树脂、2％～3％的感光剂、0.45％～0.55％的增感剂、0.1％～0.2％的流平剂、0.08％～0.26％的权利要求1所述的添加剂，其余为溶剂。

进一步的，所述线性酚醛树脂分子量为3000～8000。

进一步的，所述感光剂为三羟基二苯甲酮-重氮萘醌磺酸酯或四羟基二苯甲酮-重氮萘醌磺酸酯。

进一步的，所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、二丙二醇甲醚醋酸酯和苯甲醇中的一种或多种。

进一步的，所述增感剂为1,1,1-三对羟基苯基乙烷。

进一步的，所述流平剂为聚醚硅氧烷共聚物。

进一步的，所述光刻胶组合物应用于制造液晶面板或半导体器件中。

与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：