[发明专利]基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路

权利要求书

1.一种基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路，其特征在于，所述电流浪涌抑制电路包括储能电容、前馈加速电路和电流检测型阻抗控制反馈电路；

所述前馈加速电路包括电容C1、二极管D1和电阻R1，电容C1第一端与储能电容的正极连接，电容C1第二端分别连接二极管D1的阴极和电阻R1第一端，电阻R1第二端连接电流检测型阻抗控制反馈电路的电容C4，二极管D1的阳极和R10的第一端连接；

电容C4与电阻R9并联，电阻R9第一端与三极管Q3的发射极连接，电阻R9第二端与三极管Q3的基极连接，电阻R8第一端与三极管Q3的基极连接，电阻R8第二端与二极管D6的阴极连接，三极管Q3的发射极与瞬态抑制器D3阳极连接,二极管D6阳极与电阻R10第二端和MOS管Q2漏极连接；

瞬态抑制器D3的阳极还与电阻R7第一端、电阻R4第一端、电容C3第一端和MOS管Q2的源极连接，瞬态抑制器D3的阴极与电阻R6第一端、电阻R3第一端、和电阻R2第一端连接,电阻R2第二端和储能电容的正极连接；

MOS管Q2的漏极与电阻R10第二端连接，MOS管Q2的栅极与稳压管D4的阳极、电阻R7第二端、电容C3的第二端和三极管Q3的集电极连接，稳压管D4的阴极与电阻R6的第二端连接，MOS管Q2的源极与瞬态抑制器D5的阳极、电阻R7第一端、电容C3的第一端和电阻R4的第一端连接,瞬态抑制器D5阴极与MOS管Q2栅极连接；

MOS管Q1的源极与瞬态抑制器D2的阳极、电容C2的第一端、电阻R5的第一端和电阻R10第二端连接，MOS管Q1的漏极和储能电容负极连接，MOS管Q1的栅极和瞬态抑制器D2的阴极、电容C2的第二端、电阻R5的第二端、电阻R4的第二端和电阻R3的第二端连接。

2.如权利要求1所述的基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路，其特征在于，所述电阻R9阻值远大于电阻R8。

3.如权利要求1所述的基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路，其特征在于，所述电阻R6与电容C3的时间常数远大于电阻R3与电容C2的时间常数。

4.如权利要求1所述的基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路，其特征在于，所述电阻R3与电容C2的时间常数远大于电阻R1与电容C1的时间常数。

5.如权利要求1所述的基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路，其特征在于，所述瞬态抑制器D3的电压值高于MOS管Q1和MOS管Q2饱和导通驱动电压。

6.如权利要求1所述的基于反馈与前馈的电流检测型电流浪涌抑制电路，其特征在于，所述MOS管Q1、电容C1和二极管D1的耐压为电源电压。