[发明专利]1,3-二氮杂芴酮衍生物和电子器件在审
申请号: | 202111513809.0 | 申请日: | 2021-12-10 |
公开(公告)号: | CN114213397A | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 朱向东;张业欣;袁晓冬 | 申请(专利权)人: | 维思普新材料(苏州)有限公司 |
主分类号: | C07D403/10 | 分类号: | C07D403/10;C07D403/14;C07D487/04;C07D491/048;C07D495/04;C07D417/10;C07D409/12;C07D405/12;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
代理公司: | 苏州慧通知识产权代理事务所(普通合伙) 32239 | 代理人: | 车冬梅 |
地址: | 215126 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二氮杂芴酮 衍生物 电子器件 | ||
1.一种1,3-二氮杂芴酮衍生物,其特征在于,其由下述通式(I)表示:
其中,X为单键,CR2,O,S或不成键;
R1,R2,R3表示氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、NO2、N(R)2、OR、SR、C(=O)R、P(=O)R、Si(R)3、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有2至20个碳原子的炔基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳香族烃基、或取代或未取代的具有5至30个碳原子的芳香族杂环基;其中,R表示氢原子、氘原子、氟原子、氯原子、溴原子、碘原子、氰基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基;取代或未取代的具有2至20个碳原子的烯基;取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳香族烃基;
当R1,R2,R3为芳香族烃基或芳香族杂环基时,可与相邻的苯环以稠环方式连接。
2.根据权利要求1所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物,其特征在于,所述通式(I)表示的1,3-二氮杂芴酮衍生物选自下述化合物:
3.根据权利要求1所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物,其特征在于,所述通式(I)表示的1,3-二氮杂芴酮衍生物选自下述化合物:
4.根据权利要求1所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物,其特征在于,所述通式(I)表示的1,3-二氮杂芴酮衍生物选自下述化合物:
5.根据权利要求1所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物,其特征在于,所述通式(I)表示的1,3-二氮杂芴酮衍生物选自下述化合物:
6.根据权利要求1所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物,其特征在于,所述通式(I)表示的1,3-二氮杂芴酮衍生物选自下述化合物:
7.一种电子器件,其特征在于,包括权利要求1~6中任一项所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物。
8.根据权利要求7所述的电子器件,其特征在于,所述电子器件为有机电致发光器件;
其中,所述有机电致发光器件包括:第一电极、与所述第一电极对置设置的第二电极、以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的至少一个有机层,所述至少一个有机层包含权利要求1~6中任一项所述的1,3-二氮杂芴酮衍生物。
9.根据权利要求8所述的电子器件,其特征在于,所述至少一个有机层为发光层、空穴阻挡层或电子传输层。
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