[发明专利]一种半导体晶圆检测系统及其检测方法

说明书

本发明公开了一种半导体晶圆检测系统及其检测方法，该系统包括检测台和第一壳体，所述检测台下端位置活动安装设置有回收箱，所述第一壳体右侧端位置固定安装设置有计算机主体，所述第一壳体上端位置设置有晶圆安置机构，所述计算机主体前端位置设置有防护机构，所述第一壳体内部底端位置水平固定安装设置有第一电动滑轨，所述第一电动滑轨上活动安装设置有晶圆承载机构，所述第一壳体内部位置固定安装设置有第二电动滑轨。本发明在检测完成后，若出现需要人工检视的特殊缺陷，将手部位置穿过橡胶手套，然后关闭电磁铁，之后移动承载盘直到缺陷位置移动至显微镜下端显微探头正下方位置，之后启动电磁铁固定承载盘，方便对缺陷位置进行人工复检。

技术领域

本发明涉及半导体检测领域，具体为一种半导体晶圆检测系统及其检测方法。

背景技术

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨、抛光、切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。

晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。同时，特征尺寸的减小，使得晶圆加工时，空气中的颗粒数对晶圆加工后质量及可靠性的影响增大，而随着洁净的提高，颗粒数也出现了新的数据特点。

现有的晶圆在加工完成后还需要对晶圆成品进行检测，现有的检测系统通过显微系统对晶圆进行放大检测工作，然后将检测结果显示在计算机显示屏上，而显微系统在检测不同厚度的晶圆时为了保证检测清晰度需要调节显微系统的高度，但是现有的调节系统调节间距较大，很难进行微调保证清晰度，并且在检测时需要将晶圆送入检测系统内部，由于外界环境较差，灰尘含量较高，当晶圆送入时检测系统与外界环境直接连通，从而导致检测系统内部容易被污染，很难保证洁净度，同时在检测时部分生产缺陷被检测后还需要人工进行确定，方便确定缺陷具体成因，而现有系统检测路径为系统控制，在部分缺陷需要人工检测时，检测系统无法操作，需要更换检测系统造成不便，所以急需要一种装置来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体晶圆检测系统及其检测方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体晶圆检测系统，包括检测台和第一壳体，所述检测台下端位置活动安装设置有回收箱，回收箱便于回收不合格产品，所述第一壳体右侧端位置固定安装设置有计算机主体，所述第一壳体上端位置设置有晶圆安置机构，所述计算机主体前端位置设置有防护机构，所述第一壳体内部底端位置水平固定安装设置有第一电动滑轨，所述第一电动滑轨上活动安装设置有晶圆承载机构，所述第一壳体内部位置固定安装设置有第二电动滑轨，所述第二电动滑轨活动穿过晶圆承载机构，所述第一壳体前端位置固定安装设置有橡胶手套，所述橡胶手套活动延伸至第一壳体内部，所述第一壳体内部左侧端位置固定安装设置有第一电动推杆，所述第一电动推杆上端位置水平固定安装设置有水平板，所述第一壳体内部顶端位置固定安装设置有第二电动推杆，所述第二电动推杆下端位置固定安装设置有显微镜，所述显微镜下端位置固定安装设置有蛇形管，所述蛇形管下端固定安装设置有显微探头，所述显微镜下端位置设置有微调机构，所述显微镜下端位置固定安装设置有若干个红外线发生器。