[发明专利]P型SnS纳米颗粒、P型SnS薄膜及其制备与应用

权利要求书

1.一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在氮气保护下，将硫源加入到氯化亚锡水溶液中，与醛类还原剂混匀，得到第一混合溶液；

(2)将步骤(1)得到的第一混合溶液转移至反应釜进行水热反应，反应后得到湿沉淀；

(3)将步骤(2)得到的湿沉淀通过去离子水和乙醇洗涤后离心，得到SnS纳米颗粒。

2.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氯化亚锡为无水氯化亚锡或二水氯化亚锡；所述醛类还原剂为甲醛、乙醛或丙醛；所述硫源选自CH₄N₂S、(NH₄)₂S或CH₃CSNH₂中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，氯化亚锡的浓度为0.05-0.2mol/L；优选地，氯化亚锡的浓度为0.05mol/L；

氯化亚锡与硫源的摩尔比为0.5-2：1；优选地，氯化亚锡与硫源的摩尔比为1：1；

氯化亚锡水溶液与醛类还原剂的体积比为25-100：1；优选地，氯化亚锡溶液与醛类还原剂的体积比为50：1。

4.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，反应釜中的填充率为50-80％；优选地，反应釜的填充率为70％。

5.根据权利要求1所述的一种P型SnS纳米颗粒的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，水热反应过程中，反应温度为160-200℃；反应时间为6-12h；

优选地，反应温度为160℃；反应时间为6h。

6.一种通过权利要求1-5任一所述的方法制备得到的P型SnS纳米颗粒。

7.一种如权利要求6所述的P型SnS纳米颗粒在制备P型SnS薄膜中的应用。

8.一种P型SnS薄膜的制备方法，其特征在于，将权利要求6所述的P型SnS纳米颗粒溶解于乙醇中，得到P型SnS纳米颗粒的溶胶；然后将P型SnS纳米颗粒的溶胶涂覆在导电基底上，退火得到P型SnS薄膜。

9.一种通过权利要求8所述的方法制备得到的P型SnS薄膜。

10.一种如权利要求9所述的P型SnS薄膜在制备钙钛矿太阳能电池中的应用，其特征在于，将P型SnS薄膜作为钙钛矿太阳能电池的无机电子传输层，相继旋涂钙钛矿活性层和空穴传输层，最后，通过真空蒸镀在空穴传输层顶部镀上银电极；完成钙钛矿太阳能电池的制备。