[发明专利]硅基靶板及其生产工艺

说明书

本发明公开了一种硅基靶板的生产工艺，包括如下步骤：步骤一：在硅片抛光面涂抹膜层溶胶后进行干燥、固化和煅烧热处理，在硅片抛光面上形成膜层；步骤二：在硅片抛光面镀疏水层；步骤三：利用激光雕刻在硅片抛光面上雕刻样品点，使硅片露出样片点的底面。本发明还公开了一种硅基靶板，采用如上所述硅基靶板的生产工艺制作得到。通过在硅片抛光面涂抹膜层溶胶，而后进行干燥、固化和煅烧热处理处理，在硅片表面形成具有蜂窝状结构的膜层，而后在硅片表面镀疏水层，即疏水层与膜层结合，使疏水层具有纳米级的平整度，使得电场更均一，测试出来质荷比(M/Z)准确度更高；最后利用激光雕刻在硅片抛光面形成样品点，并使硅片露出样品点底部，从而制备得到硅基靶板。

技术领域

本发明属于微生物质谱检测技术领域，具体的为一种硅基靶板及其生产工艺。

背景技术

质谱仪是利用电磁学原理把离子依据质荷比(M/Z)不同进行分离，进而测量物质的质量与含量的科学仪器。基质辅助激光解析电离-飞行时间质谱仪(简称：MALDI-TOF-MS)是质谱仪家族的一个重要分支，能够简单、快速、准确的同时对多种样品进行分析与鉴定，通常是先将样品(蛋白提取液、基质溶液)固定在靶板的靶点上，再被送入到MALDI-TOF-MS中进行分析与鉴定。

靶板作为样品与基质共结晶的载体，目前采用钢靶。钢靶在实际检测过程重复使用，存在交叉污染和残留问题，造成了分析、鉴定结果的不准确。公开号为CN111017867A的中国专利申请公开了一种制备网络结构硅基点阵的方法，包括：S1.在硅基底上表面自组装微纳米球阵列；S2.在具自组装微纳米球阵列的所述硅基底表面旋涂前驱体溶液；S3.将所述硅基底放置在退火炉中退火，以在所述硅基底表面形成微纳米碗阵列结构；S4.以等离子刻蚀技术对所述经退火的具有微纳米碗阵列结构的硅基底进行刻蚀，形成微纳米葫芦状阵列结构；S5.将所述硅基底进行掩膜光刻以制备点样区；以及S6.将所述具有点样区的硅基底制成靶板。该方法虽然在一定能够制备网络结构硅基点阵，但工艺方法复杂，产品质量难以控制，无法适用于工业化生产。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种硅基靶板及其生产工艺，利用亲疏水处理，能够有效束缚样品(蛋白提取液和基质溶液)，使共结晶更均匀。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种硅基靶板的生产工艺，包括如下步骤：

步骤一：在硅片抛光面涂抹膜层溶胶后进行干燥、固化和煅烧热处理，在硅片抛光面上形成膜层；

步骤二：在硅片抛光面镀疏水层；

步骤三：利用激光雕刻在硅片抛光面上雕刻样品点，使硅片露出样片点的底面。

进一步，所述步骤一中，膜层溶胶的配置方法为：

11)配置硅溶胶：

①在14-16份纯水中加入4.0-4.5份硝酸，搅拌均匀，得到A溶液；

②将40-42份无水乙醇、17-18份正硅酸四乙酯和8.2-8.9份KH-560混合均匀，而后加入A溶液后搅拌，得到硅溶胶；

12)配置膜层溶胶：将0.5-0.7份环氧树脂、2.9-3.0份硅溶胶和2.8-3.5份乙醇均匀混合，得到膜层溶胶。

进一步，所述步骤一中，采用旋涂工艺将膜层溶胶均匀涂抹在硅片抛光面。

进一步，所述步骤一中，将涂抹膜层溶胶后的硅片在60-80℃的温度条件下进行干燥处理。

进一步，所述步骤一中，干燥完成后，将硅片在150-200℃的温度条件下进行固化处理，使膜层固化成型。

进一步，所述步骤一中，固化完成后，将硅片在370-500℃的温度条件下进行煅烧热处理，使膜层形成蜂窝状结构。