[发明专利]硅基靶板及其生产工艺

权利要求书

1.一种硅基靶板的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：

步骤一：在硅片抛光面涂抹膜层溶胶后进行干燥、固化和煅烧热处理，在硅片抛光面上形成蜂窝状膜层；

膜层溶胶的配置方法为：

11)配置硅溶胶：

①在14-16份纯水中加入4.0-4.5份硝酸，搅拌均匀，得到A溶液；

②将40-42份无水乙醇、17-18份正硅酸四乙酯和8.2-8.9份KH-560混合均匀，而后加入A溶液后搅拌，得到硅溶胶；

12)配置膜层溶胶：将0.5-0.7份环氧树脂、2.9-3.0份硅溶胶和2.8-3.5份乙醇均匀混合，得到膜层溶胶；

步骤二：在硅片抛光面镀上疏水层；

步骤三：利用激光雕刻在硅片抛光面上雕刻样品点，使硅片露出样片点的底面。

2.根据权利要求1所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：所述步骤一中，将涂抹膜层溶胶后的硅片在60-80℃的温度条件下进行干燥处理。

3.根据权利要求1所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：所述步骤一中，干燥完成后，将硅片在150-200℃的温度条件下进行固化处理，使膜层固化成型。

4.根据权利要求1所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：所述步骤一中，固化完成后，将硅片在370-500℃的温度条件下进行煅烧热处理，使膜层形成蜂窝状结构。

5.根据权利要求1所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：所述步骤二中，采用蒸镀工艺在硅片表面形成疏水层，方法如下：

21)取100-800μL氟硅烷置于氧化铝坩埚中；

22)将硅片置于硅片支架上后与所述氧化铝坩埚一起置于反应釜内；

23)将密闭的反应釜置于干燥箱，运行干燥箱使氟硅烷镀在硅片表面上，即在硅片表面形成疏水层。

6.根据权利要求5所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：所述氟硅烷选自十七氟癸基三氯硅烷、十七氟癸基三甲氧基硅烷或4-甲基-十三氟癸基三乙氧基硅烷中的至少一种。

7.根据权利要求5所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：还包括热处理工序，方法如下：

24)将经蒸镀工艺处理后的硅片置于干燥箱内，运行干燥箱，使氟硅烷与硅片之间形成Si-F键，使氟硅烷固化在硅片上。

8.根据权利要求1所述硅基靶板的生产工艺，其特征在于：所述步骤三中，在所有样品点均雕刻完成后，在硅片的背面中心贴铁片。

9.一种硅基靶板，其特征在于：采用如权利要求1-8任一项所述硅基靶板的生产工艺制作得到。