[发明专利]高压元件、高压控制元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件，其特征在于，包含：

一半导体层，形成于一基板上；

一阱区，具有一第一导电型，形成于该半导体层中；

一浅沟槽隔绝区，形成于该半导体层中；

一漂移氧化区，形成于该半导体层上，其中，该浅沟槽隔绝区位于该漂移氧化区下，且部分该漂移氧化区位于部分该浅沟槽隔绝区的正上方并连接该浅沟槽隔绝区，其中该漂移氧化区位于一漂移区上；

一本体区，具有一第二导电型，形成于该半导体层中，该本体区与该阱区在一通道方向上连接；

一栅极，形成于该半导体层上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转电流通道，且另一部分该栅极位于该漂移氧化区的正上方且连接该漂移氧化区；以及

一源极与一漏极，具有该第一导电型，该源极与该漏极形成于该半导体层中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，且于该通道方向上，该漂移区位于该漏极与该本体区之间的该阱区中，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移电流通道；

其中，该浅沟槽隔绝区介于该漏极与该本体区之间。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中，该漂移氧化区包括一区域氧化结构或一化学气相沉积氧化区。

3.如权利要求1所述的高压元件，其中，该浅沟槽隔绝区与该漏极于该通道方向上连接。

4.如权利要求1所述的高压元件，其中，该半导体层为P型外延硅层，并具有阻值45Ohm-cm。

5.如权利要求2所述的高压元件，其中，该漂移氧化区包括该化学气相沉积氧化区，且该化学气相沉积氧化区具有厚度

6.如权利要求1所述的高压元件，其中，该高压元件为一横向扩散金属氧化物半导体元件，且具有栅极驱动电压3.3V，栅极氧化层厚度

7.如权利要求6所述的高压元件，其中，一低压元件形成于该基板上，且该低压元件的通道长度为0.18μm。

8.如权利要求1所述的高压元件，其中，该本体区由一自我对准工艺步骤所形成，其中该自我对准工艺步骤包括：蚀刻一多晶硅层以形成该栅极的一导电层；以及以该导电层为屏蔽，以一离子注入工艺步骤形成该本体区。

9.一种高压元件制造方法，其特征在于，包含：

形成一半导体层于一基板上；

形成一阱区于该半导体层中，该阱区具有一第一导电型；

形成至少一浅沟槽隔绝区于该半导体层中；

形成一漂移氧化区于该半导体层上，其中，该浅沟槽隔绝区位于该漂移氧化区下，且部分该漂移氧化区位于部分该浅沟槽隔绝区的正上方并连接该浅沟槽隔绝区，其中该漂移氧化区位于一漂移区上；

形成一本体区于该半导体层中，该本体区与该阱区在一通道方向上连接，该本体区具有一第二导电型；

形成一栅极于该半导体层上，部分该本体区位于该栅极正下方并连接于该栅极，以提供该高压元件在一导通操作中的一反转电流通道，且另一部分该栅极位于该漂移氧化区的正上方且连接该漂移氧化区；以及

形成一源极与一漏极于该半导体层中，且该源极与该漏极分别位于该栅极的外部下方的该本体区中与远离该本体区侧的该阱区中，且于该通道方向上，该漂移区位于该漏极与该本体区之间的该阱区中，用以作为该高压元件在该导通操作中的一漂移电流通道；

其中，该浅沟槽隔绝区介于该漏极与该本体区之间。

10.如权利要求9所述的高压元件制造方法，其中，该漂移氧化区包括一区域氧化结构或一化学气相沉积氧化区。

11.如权利要求9所述的高压元件制造方法，其中，该浅沟槽隔绝区与该漏极于该通道方向上连接。

12.如权利要求9所述的高压元件制造方法，其中，该半导体层为P型外延硅层，并具有阻值45Ohm-cm。