[发明专利]一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置及使用方法

权利要求书

1.一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置，包括基座（2）和设置在基座中心的基片槽（4），其特征在于：还包括下保护套（1）和上保护套（3），所述基座（2）是一个圆柱体，在基座（2）的侧面中部设置一圈凸台（2-1），在基片槽（4）的外围对称设置四个导气孔（7）；所述下保护套（1）是一个三阶梯圆环，上端的大直径圆环与基座（2）的下部配合设置在凸台（2-1）的下方，中圆环的台阶与基座（2）的下端面贴紧，下端小圆环的内孔是进气孔（5），下保护套（1）与基座（2）之间的间隙形成下导气槽（6）；所述上保护套（3）是圆环形盖，与基座（2）的上部配合设置在凸台（2-1）的上方，上保护套（3）圆环的内径与基片槽（4）直径相同，上保护套（3）与基座（2）之间的间隙形成上导气槽（8），所述下导气槽（6）和上导气槽（8）的外径大于导气孔（7）外接圆的直径，所述进气孔（5）、下导气槽（6）、导气孔（7）和上导气槽（8）组成完整的气路。

2.如权利要求1所述一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置，其特征在于：下保护套（1）和上保护套（3）均以螺纹连接方式设置在基座（2）上。

3.一种采用如权利要求1所述的一种提高氮化铝外延层紫外透过率的保护装置的使用方法，其特征在于：包括如下步骤：

第一步：将带保护装置的基座（2）放进生长炉（10）的腔内，将生长氮化铝用的碳化硅基片（9）放置在基片槽（4）内；

第二步：将生长炉（10）腔内的气压抽真空至0.1mbar以下，充入氮气保护气体至500mbar；

第三步：将生长炉（10）腔室内温度升至1500℃；

第四步：打开进气孔（5）的截门，生长炉（10）腔内氮气通过进气孔（5）、下导气槽（6）、导气孔（7）和上导气槽（8）进入基片槽（4），等待五分钟，使氮气包裹基片（9）边缘和背底；

第五步：在生长炉（10）腔室充入氢气、氯化氢、氯化铝和氨气，进行氮化铝外延生长三十分钟；

第六步：关闭加热系统，关闭氢气、氯化氢、氯化铝气体，自然降温至室温；

第七步：将腔体气压抽真空至0.1mbar以下，充入氮气保护气体至常压，取出外延片。