[发明专利]一种功率半导体芯片封装结构

权利要求书

1.一种功率半导体芯片封装结构，其特征在于，包括：

第一基板电极；

位于部分所述第一基板电极上且与所述第一基板电极电连接的功率半导体芯片；

环绕所述功率半导体芯片的线圈屏蔽结构，所述线圈屏蔽结构包括导电线圈以及包覆所述导电线圈的绝缘体。

2.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘体包括陶瓷；

优选的，所述绝缘体与所述功率半导体芯片之间的距离为1mm-10mm。

3.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述线圈屏蔽结构为圆环状结构。

4.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述功率半导体芯片背离所述第一基板电极的一侧表面具有发射极；

所述功率半导体芯片封装结构还包括：

位于所述发射极上的导电连接件，所述导电连接件包括第一子导电连接部、第二子导电连接部、以及位于所述第一子导电连接部和第二子导电连接部之间的绝缘部，所述第一子导电连接部、绝缘部和第二子导电连接部在平行于所述第一基板电极表面的方向排布，所述第一子导电连接部的高度大于所述第二子导电连接部的高度，所述第一子导电连接部和所述第二子导电连接部均与所述发射极连接；

与所述第一基板电极相对设置的第二基板电极；

位于所述第二基板电极和所述第一基板电极之间的辅助发射极电路板；

所述第一子导电连接部贯穿所述辅助发射极电路板且与所述第二基板电极电连接，所述第一子导电连接部与所述辅助发射极电路板电绝缘；所述第二子导电连接部与所述辅助发射极电路板电连接。

5.根据权利要求4所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述第一子导电连接部包括第一子底层连接层、以及位于所述第一子底层连接层上方的一层或多层第一子顶层连接层，所述第一子底层连接层为整面结构，所述第一子顶层连接层中具有若干第一微孔；

所述第二子导电连接部包括第二子底层连接层、以及位于所述第二子底层连接层上方的一层或多层第二子顶层连接层，所述第二子底层连接层为整面结构，所述第二子顶层连接层中具有若干第二微孔。

6.根据权利要求4所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述辅助发射极电路板的数量为若干个，若干个辅助发射极电路板包括第一辅助发射极电路板和位于所述第一辅助发射极电路板背离所述第一基板电极一侧的第二辅助发射极电路板；

部分功率半导体芯片的发射极通过所述第二子导电连接部与所述第一辅助发射极电路板电连接，部分功率半导体芯片的发射极通过所述第二子导电连接部与所述第二辅助发射极电路板电连接；所述第一辅助发射极电路板中的第一互联线与所述第二辅助发射极电路板中的第二互联线在所述第一基板电极表面的投影至少部分重合，对于在所述第一基板电极表面的投影重合的第一互联线和第二互联线，第一互连线中的电流方向与第二互连线中的电流方向相反。

7.根据权利要求1所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，所述功率半导体芯片背离所述第一基板电极的一面具有栅极；

所述功率半导体芯片封装结构还包括：位于所述第一基板电极上且位于所述功率半导体芯片侧部的衬板，所述衬板背离所述第一基板电极的一侧表面具有导电柱；

连接所述栅极和所述导电柱的键合引线；

与所述第一基板电极相对设置的栅极电路板，所述功率半导体芯片、所述导电柱、所述衬板均位于所述栅极电路板和所述第一基板电极之间，所述导电柱与所述栅极电路板电连接。

8.根据权利要求7所述的功率半导体芯片封装结构，其特征在于，还包括：支撑柱，位于所述衬板和所述栅极电路板之间且位于所述导电柱的侧部。