[发明专利]嵌入式闪存器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种嵌入式闪存器件结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一：提供半导体衬底，在所述半导体衬底由下至上依次形成浮栅介质层、浮栅多晶硅层、介质层、控制栅多晶硅层以及浮栅氮化硅层，刻蚀去除第一窗口区域的所述浮栅氮化硅层；

步骤二：沉积第一氧化硅层并各向异性刻蚀去除第二窗口区域的所述第一氧化硅层，形成第一侧墙，刻蚀除去第二窗口区域所述控制栅多晶硅和介质层,直至露出所述浮栅多晶硅层；

步骤三：沉积第一氮化硅层，并各向异性刻蚀形成第二侧墙，继续沉积第二氧化硅层并各向异性刻蚀形成第三侧墙，沉积第二氮化硅层并各向异性刻蚀形成第四侧墙；

步骤四：以所述浮栅氮化硅层、所述第一侧墙、所述第二侧墙、所述第三侧墙以及所述第四侧墙为硬质掩膜对所述浮栅多晶硅层进行第一次刻蚀；

步骤五：依次去除所述第四侧墙以及所述第三侧墙；

步骤六：沉积字线多晶硅层形成字线，所述字线顶部形成有字线介质层；

步骤七：去除所述浮栅氮化硅层，以所述第一侧墙、所述第二侧墙以及所述字线介质层为刻蚀掩膜自对准对所述控制栅多晶硅层、所述介质层以及所述浮栅多晶硅层进行第二次刻蚀。

2.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件结构的制造方法，其特征在于，所述介质层包括ONO，所述ONO从下至上依次包括二氧化硅层、氮化硅层和二氧化硅层。

3.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件结构的制造方法，其特征在于，在步骤一中，在控制栅多晶硅层上旋涂光刻胶，对第一窗口区域进行曝光和显影，刻蚀去除第一窗口区域的控制栅多晶硅层和介质层。

4.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件结构的制造方法，其特征在于，在步骤五中，利用磷酸去除成分为氮化硅侧第四侧墙，利用氟化氢去除成分为氧化硅的第三侧墙。

5.如权利要求1所述的嵌入式闪存器件结构的制造方法，其特征在于，在步骤七中，湿法刻蚀去除浮栅氮化硅层。

6.一种嵌入式闪存器件结构，其特征在于，采用如权利要求1至5任一项所述的嵌入式闪存器件结构的制造方法形成，包括：

半导体衬底层，所述半导体衬底层上形成有浮栅介质层，所述浮栅介质层上形成有字线，所述字线的两侧由下至上依次形成有浮栅、介质层、控制栅以及第一侧墙，所述浮栅靠近所述字线的一侧形成台阶结构，所述字线对所述台阶结构表面形成全包裹。