[发明专利]一种阵列基板及液晶显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及液晶显示面板，其包括：基板；以及形成于所述基板上的薄膜晶体管阵列层，其中，所述薄膜晶体管阵列层包括：形成于所述基板上的低温多晶硅层；位于所述基板上并覆盖所述低温多晶硅层的栅极绝缘层；栅极，位于所述栅极绝缘层的表面，所述栅极包括栅极，所述栅极包括依次层叠设置的第一金属阻隔层、子栅层、第二金属阻隔层及金属抗腐蚀层，所述第二金属阻隔层的热膨胀系数小于所述子栅层的热膨胀系数，所述子栅层的电阻率小于第一金属阻隔层、第二金属阻隔层及所述金属抗腐蚀层的电阻率；层间绝缘层，位于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极；以及源漏极层，与所述低温多晶硅层通过第一过孔连接。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。

背景技术

阵列基板是液晶显示装置的一个重要构件，阵列基板包括有多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括一个源极和一个栅极，在栅极形成时，通常是采用Al，Cu等制成一层金属层区块，因该类材质膨胀系数较高，因制程上的受热会产生与上下层结构热膨胀不批配，最后产生小凸包或者小丘(hillock)。

现有一种抑制凸包(hillock)产生的方法，通常是在Al，Cu等制成的金属层区块上再搭配一层钛金属，但是搭配的该层钛金属不能承受后续开孔及清洗制程，且这种双层结构容易引起叠层的阻抗增大。

因此，现有技术存在缺陷，急需解决。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及液晶显示面板，能解决现有技术中双层叠构形成的栅极引起的阻抗增大的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种阵列基板，其包括：

一种阵列基板，包括：

基板；以及

形成于所述基板上的薄膜晶体管阵列层，其中，所述薄膜晶体管阵列层包括：

形成于所述基板上的低温多晶硅层；

位于所述基板上并覆盖所述低温多晶硅层的栅极绝缘层；

栅极，位于所述栅极绝缘层的表面，所述栅极包括栅极，所述栅极包括依次层叠设置的第一金属阻隔层、子栅层、第二金属阻隔层及金属抗腐蚀层，所述第二金属阻隔层的热膨胀系数小于所述子栅层的热膨胀系数，所述子栅层的电阻率小于第一金属阻隔层、第二金属阻隔层及所述金属抗腐蚀层的电阻率；

层间绝缘层，位于所述栅极绝缘层上并覆盖所述栅极；以及

源漏极层，与所述低温多晶硅层通过第一过孔连接。

在本发明的其中一个实施例中，所述第一金属阻隔层的材质是钛、钨或者钼中的任意一种。

在本发明的其中一个实施例中，所述第二金属阻隔层的材质是钛。

在本发明的其中一个实施例中，所述子栅层的材质选自铝或铝合金、铜或铜合金、银或银合金。

在本发明的其中一个实施例中，所述金属抗腐蚀层选自钼或者钨中的任意一种。

在本发明的其中一个实施例中，所述第一金属阻隔层及第二金属阻隔层的厚度均介于50-100埃之间。

在本发明的其中一个实施例中，所述金属抗腐蚀层的厚度介于300-800埃之间。

在本发明的其中一个实施例中，所述子栅层的厚度介于2500-4000埃之间。

在本发明的其中一个实施例中，所述阵列基板还包括与栅极具有相同层结构的栅电源电压走线，所述层间绝缘层中设置第二过孔，所述栅电源电压走线与所述源漏极层通过所述第二过孔连接。

一种液晶显示面板，包括如上任意一项所述的阵列基板。