[发明专利]具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法在审

专利信息
申请号: 202111493436.5 申请日: 2021-12-08
公开(公告)号: CN114302561A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 马洪伟;姜寿福 申请(专利权)人: 江苏普诺威电子股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/06;H05K3/22;H05K3/46;C23C28/02;C25D5/12;C25D7/00
代理公司: 昆山中际国创知识产权代理有限公司 32311 代理人: 孙海燕
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 具有 超低铜 残留 半导通孔 多层 制作方法
【说明书】:

发明涉及一种具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法,包括以下步骤:开料与烘烤、内层线路、压合、外层钻孔、沉铜电镀、第一次树脂塞孔及研磨、二次钻靶、深度钻孔、第一次去除铜残留、第二次去除铜残留、第二次树脂塞孔及研磨、返沉铜、外层线路、阻焊和电镀镍金,本发明中利用特殊的蚀刻药水对盲孔进行两次去铜残留处理,因此制作出的多层板的半导通孔具有超低铜残留,满足了高频电路产品的需求。

技术领域

本发明涉及多层板制作,具体涉及一种具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法。

背景技术

随着信息化产业的不断推动,数字信号传输的速度越来越快,频率越来越高,传统设计已经不能满足这种高频电路的需要。信号的完整性传输研究成为越来越关键的重要核心技术,当电路信号的频率增加到一定高度后,导通孔中无用的铜残留部分,就相当于天线一样,产生信号辐射对周围的其他信号造成干扰,严重时将影响到线路系统的正常工作,因此降低孔铜残留的需求越来越迫切。

发明内容

为了克服上述缺陷,本发明提供一种具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法,通过该制作方法制作出的多层板,板中的半导通孔具有超低铜残留,满足了高频电路产品的需求。

本发明为了解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法,包括以下步骤:

步骤1:开料与烘烤:裁切一定尺寸的若干块基板,放于烘箱中烘烤,所述基板为双面覆铜基板,所述双面覆铜基板具有一内绝缘层以及两个分别压合于该内绝缘层正、反两面的铜箔层;

步骤2:内层线路:选取若干块基板,所述基板分为内层板和外层板,对内层板双面的铜箔层、外层板单面的铜箔层进行压干膜、曝光、显影、蚀刻和退膜处理,完成内层线路的制作;

步骤3:压合:将步骤2处理后的若干基板按照顺序进行压合形成多层板,相邻两个基板之间通过半固化片连接,其中制作内层线路的铜箔层形成多层板的内铜箔层、未被制作内层线路的铜箔层形成多层板的外铜箔层,并对多层板进行第一次钻靶、铣边处理;

步骤4:外层钻孔:利用钻孔机在多层板上钻出用于层间连接的通孔;

步骤5:沉铜电镀:对通孔内进行去胶渣、化学铜和电镀铜处理,从而使得层间图形线路相互导通;

步骤6:第一次树脂塞孔及研磨:利用树脂塞孔机将需要塞孔的通孔内塞满树脂,塞孔后对板件进行烘烤,使得孔内树脂凝固;利用研磨机对烘烤后板面上的树脂凸点进行研磨,研磨后孔内树脂与板面齐平;

步骤7:二次钻靶:根据多层板的板厚和板的涨缩程度进行分堆,并对分堆后的多层板进行二次钻靶;

步骤8:深度钻孔:分别从两个外铜箔层对塞孔后的通孔进行深度钻孔,在两个外铜箔层侧皆形成盲孔;

步骤9:第一次去除铜残留:对多层板的外铜箔层贴膜、开窗,并利用蚀刻药水对深度钻出的盲孔进行深度蚀刻以去除孔内铜残留,具体工艺参数为:蚀刻时间:150-200S,蚀刻压力为1.5-2.5kg/cm2,蚀刻药水的比重:1.3±0.02,过孔铜残留量:25±5μm;

步骤10:第二次去除铜残留:利用蚀刻药水对盲孔进行二次深度蚀刻以去除孔内铜残留,具体工艺参数为蚀刻时间:60-100S,蚀刻压力为2.0-3.0kg/cm2,蚀刻药水的比重:1.3±0.02,过孔铜残留量:15±3μm;二次除铜后再去除外铜箔层表面的贴膜;

步骤11:第二次树脂塞孔及研磨:利用树脂塞孔机将盲孔内塞满树脂,塞孔后对板件进行烘烤,使得盲孔内树脂凝固;利用研磨机对烘烤后板面上的树脂凸点进行研磨,研磨后孔内树脂与板面齐平;

步骤12:返沉铜:对外铜箔层进行沉铜电镀处理,在外铜箔层表面形成一层铜镀层,使得外铜箔层的铜厚达到预设的厚度;

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