[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本申请公开一种阵列基板及其制作方法。阵列基板包括基板、薄膜晶体管、第一钝化层、有机膜层、公共电极、第二钝化层及像素电极层。有机膜层包括位于薄膜晶体管上方的第一过孔。公共电极覆盖像素区域，并包括第二过孔及围绕第二过孔的缓壁。第二过孔连通第一过孔，且缓壁的底缘与第一过孔的顶缘之间具有间距。第二钝化层包括连通第二过孔的第三过孔。像素电极层设在第二钝化层上，并通过第一过孔、第二过孔及第三过孔连接第二金属层，以优化公共电极的过孔边缘形貌，提升应付制程波动限度。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

在液晶显示面板的面内开关(In-Plane Switching,IPS)模式或边界电场开关(Fringe Field Switching,FFS)的显示模式中，公共电极91作为液晶偏转的一端，与像素电极92共同形成水平电场(如图1所示)，使液晶偏转从而实现显示。以像素作为显示区域、让背光通过从而产生红、绿、蓝三原色的部分称作开口区。为改善视角及提升显示效率，通常将开口区内让液晶偏转的像素电极92设计成条纹状。在液晶显示模式中，通常有公共电极条纹状、像素电极条纹状两种设计情况。当一种电极为条纹状设计时，另一种电极为开口区整面性覆盖设计。在像素电极条纹状、公共电极正面性的情况时，会增加公共电极的电阻，更加大栅线、数据线的信号扰动对公共电极构成的电容的耦合作用。

常用制备公共电极是使用半色调掩膜(halftone mask,HTM)工艺制作，在制作流程中，由于大面积HTM以及像素电极与第二金属层联通过孔的存在，需在HTM曝光流程后，同时满足以下要求：残留HTM光刻胶膜厚满足工艺要求且不破膜；及像素电极连通过孔中无光刻胶存在。通常情况下，为达到上述要求，设计需要将公共电极光刻胶的过孔边缘距离像素连通孔有一定的安全距离，提供足够空间以防止光刻胶掉落连通孔内。然而，目前制程要求的安全距离相当大，造成所需空间加大，从而减小开口区面积，降低穿透率，使得液晶显示屏功耗增加、显示效果变差。此外，若所述安全距离不够，则当制程对位偏移或关键尺寸波动，容易造成孔内灰化困难，残留光刻胶下公共电极无法蚀刻，成为孔内异物，使像素电极与第二金属层搭接异常，并导致显示异常。

发明内容

本申请提供一种阵列基板及其制作方法，以解决传统公共电极在对应像素连通孔的制备工艺中容易残留光刻胶，造成像素电极与第二金属层搭接异常，从而导致显示异常的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请实施例提供一种阵列基板，包括基板、设在所述基板上的第一金属层、第二金属层、第一金属走线、第二金属走线及薄膜晶体管。所述阵列基板还包括第一钝化层，覆盖所述薄膜晶体管；有机膜层，设在所述第一钝化层上，并包括第一过孔，且所述第一过孔位于所述薄膜晶体管上方；公共电极，设在所述有机膜层上，包括第二过孔及围绕所述第二过孔的缓壁，所述第二过孔连通所述第一过孔，且所述缓壁的底缘与所述第一过孔的顶缘之间具有间距；第二钝化层，覆盖所述公共电极层及所述有机膜层，并包括连通所述第二过孔的第三过孔，及通孔。所述通孔显露部分所述公共电极，且所述第一过孔、第二过孔及第三过孔共同定义第一连通孔，且所述第一连通孔延伸至所述第一钝化层，并穿透部分所述第一钝化层，用以显露部分所述薄膜晶体管；以及像素电极层，设在所述第二钝化层上，并通过所述第一连通孔连接所述薄膜晶体管，及通过所述通孔连接所述公共电极。

可选地，所述阵列基板还包括第三金属层，所述第三金属层设在所述公共电极上，并接触所述公共电极，其中所述第二过孔的缓壁的底缘与所述第一过孔的顶缘之间的所述间距小于2.5微米。

可选地，所述第二过孔在所述基板的正投影大于并覆盖所述第一过孔在所述基板的正投影，所述第二钝化层还包括包覆壁，其中所述包覆壁沿所述第一连通孔设置，并覆盖所述第一过孔的孔壁及所述第二过孔的缓壁。