[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括基板、设在所述基板上的第一金属层、第二金属层、第一金属走线、第二金属走线及薄膜晶体管，其特征在于，包括：

在所述基板上沉积第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述薄膜晶体管；

在所述第一钝化层上沉积有机膜层；

利用光刻工艺图形化所述有机膜层，并形成第一过孔，且所述第一过孔对应于所述薄膜晶体管上方；

在所述有机膜层上沉积公共电极层；

利用半色调掩膜板对所述公共电极层进行光刻工艺，以形成公共电极及对应于所述第一过孔的第二过孔，所述公共电极在相邻所述第二过孔处形成有缓壁，其中所述半色调掩膜板包括至少一成孔区及至少一狭缝，所述狭缝围绕并间隔于所述成孔区设置，所述成孔区对应所述第二过孔，且所述狭缝对应所述缓壁，其中所述缓壁的底缘与所述第一过孔的顶缘之间具有间距，且所述缓壁的底缘与所述第一过孔的顶缘之间的间距小于2.5微米；

沉积第二钝化层，并覆盖第一过孔、所述有机膜层及所述公共电极层；

利用光刻工艺图形化所述第二钝化层，并形成第三过孔及通孔，其中所述通孔显露部分所述公共电极，且所述第一过孔、第二过孔及第三过孔共同定义第一连通孔，所述第一连通孔延伸至所述第一钝化层，并穿透部分所述第一钝化层，所述第一连通孔显露部分所述薄膜晶体管；

在所述第二钝化层上沉积像素电极层；以及

利用光刻工艺图形化所述像素电极层，以形成像素电极，所述像素电极层通过所述第一连通孔连接所述薄膜晶体管，及通过所述通孔连接所述公共电极。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述有机膜层上沉积公共电极层的步骤还包括：

在所述公共电极层上沉积第三金属层；及

利用所述半色调掩膜板对所述公共电极层及所述第三金属层进行多道光刻工艺，以图形化所述公共电极层及所述第三金属层。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述半色调掩膜板还包括成膜区，且所述狭缝位于所述成膜区及所述成孔区之间，其中所述成膜区用于形成所述公共电极，所述成孔区用以形成所述第二过孔，且所述狭缝用于形成围绕所述第二过孔的缓壁。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在沉积所述第一钝化层的步骤前还包括形成所述薄膜晶体管的步骤，其中所述形成所述薄膜晶体管的步骤包括：

在所述基板上形成所述第一金属层，且所述第一金属层包括栅极及第一金属走线；

在所述基板及所述第一金属层上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层形成位于所述栅极上方的有源层；

利用光刻工艺在所述栅极绝缘层上形成接触孔，以暴露所述第一金属走线；

在所述有源层及所述栅极绝缘层上沉积第二金属层；以及

利用光刻工艺在所述第二金属层形成源极、漏极及第二金属走线，其中所述第二金属走线通过所述接触孔连接所述第一金属走线。

5.如权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板的制作方法还包括：

在所述第二钝化层对应所述第二金属走线的上方形成第二连通孔，所述第二连通孔穿透所述第二钝化层、所述公共电极层、所述有机膜层及部分所述第一钝化层以显露所述第二金属走线，其中所述像素电极层通过所述第二连通孔连接所述第二金属走线及所述第一金属走线。